[发明专利]一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺

说明书

本发明公开了一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺，其改善工艺包括以下步骤：S1、首先需要进行准备适量的氨水、双氧水和水实时备用，将准备好的氨水、双氧水和水进行药液混合配液，将氨水、双氧水和水混合液调整配比至一定的药液浓度，并且选用low cop的单晶加工一定直径的半导体产品进行实时备用，S2、然后需要进行使用low cop的单晶加工至最终清洗前，并且选取6组实验所需的硅片，并将第一组实验设定为现有的工艺，将第二组实验仅仅改变一槽HF的清洗时间。本发明所述的工艺改善在FTIR测试膜厚参数模式下,卡控氧化层厚度的加工工艺，具备改善硅片表面自然氧化层薄、氧化层均匀性好的优点，有效提高了半导体硅片产品的国际市场竞争力。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体为一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺。

背景技术

全球半导体硅片出货量和市场规模受下游半导体行业影响大。根据世界半导体贸易统计(WSTS)数据，2011-2020年全球半导体市场规模呈波动变化趋势，2017-2018年连续两年保持高速增长后，2019年受中美贸易问题、下游消费电子市场疲软等影响市场规模下降12.1％，因此，2019年，硅片的出货量及市场规模均有所下降，虽然2020年半导体市场规模实现同比增长5.0％，达4330亿美元，但半导体硅片行业市场规模未能实现增长，据WSTS预测，2021年5G的普及和汽车行业的复苏将为半导体市场带来利好，半导体市场规模将同比增长8.4％，达到4694亿美元，创出历史新高，2021年，半导体硅片行业市场规模有望在半导体行业的拉动下恢复增长,从目前全球晶圆厂产能建设情况来看，200mm晶圆厂仍是主要的盈利方向，高规格高要求的产品更是市场的强力竞争对象，所以想在半导体市场中掌握主动权，就一定要做到满足客户提出的要求。

但是目前现有的半导体硅片在生产加工的过程中，容易导致半导体硅片表面自然氧化层薄、氧化层均匀性不佳的问题，大大降低了半导体硅片的市场竞争力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺，以解决上述背景技术中提出的但是目前现有半导体硅片在生产加工的过程中，容易导致半导体硅片表面自然氧化层薄、氧化层均匀性不佳的问题，大大降低了半导体硅片的市场竞争力的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺，其改善工艺包括以下步骤：

S1、首先需要进行准备适量的氨水、双氧水和水实时备用，将准备好的氨水、双氧水和水进行药液混合配液，将氨水、双氧水和水混合液调整配比至一定的药液浓度，并且选用low cop的单晶加工一定直径的半导体产品进行实时备用。

S2、然后需要进行使用low cop的单晶加工至最终清洗前，并且选取6组实验所需的硅片，并将第一组实验设定为现有的工艺，将第二组实验仅仅改变一槽HF的清洗时间，其他槽实验参数保持不变，将第三组仅改变二槽SC-1的清洗液配比即可。

S3、最后需要将第四组也仍旧改变二槽SC-1的清洗液配比，将第五组改变三槽SC-2的清洗液配比，将第六组同时改变二槽SC-1和三槽SC-2的清洗液配比，观察并6组实验的结果并记录实验相关数据，通过对实验数据进行实时分析对比判断得出相应的实验结论。

优选的，所述第一组实验的SC-1药液配比为NH40H:H2O2:H2O＝A:B:C，且第四组实验的sc-1的药液配比：NH40H:H2O2:H2O＝A:B:C'。

优选的，所述选用low cop的单晶加工的半导体产品硅片的直径为200mm。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明所述的工艺改善在FTIR测试膜厚参数模式下,的加工工艺，具备改善硅片表面自然氧化层薄、氧化层均匀性好的优点，有效提高了半导体硅片产品的国际市场竞争力。

附图说明

图1为本发明的颗粒对比图；