[发明专利]一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺

权利要求书

1.一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺，其特征在于：其改善工艺包括以下步骤：

S1、首先需要进行准备适量的氨水、双氧水和水实时备用，将准备好的氨水、双氧水和水进行药液混合配液，将氨水、双氧水和水混合液调整配比至一定的药液浓度，并且选用low cop的单晶加工一定直径的半导体产品进行实时备用；

S2、然后需要进行使用low cop的单晶加工至最终清洗前，并且选取6组实验所需的硅片，并将第一组实验设定为现有的工艺，将第二组实验仅仅改变一槽HF的清洗时间，其他槽实验参数保持不变，将第三组仅改变二槽SC-1的清洗液配比即可；

S3、最后需要将第四组也仍旧改变二槽SC-1的清洗液配比，将第五组改变三槽SC-2的清洗液配比，将第六组同时改变二槽SC-1和三槽SC-2的清洗液配比，观察并6组实验的结果并记录实验相关数据，通过对实验数据进行实时分析对比判断得出相应的实验结论。

2.根据权利要求1所述的一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺，其特征在于：所述第一组实验的SC-1药液配比为NH40H:H2O2:H2O＝A:B:C，且第四组实验的sc-1的药液配比：NH40H:H2O2:H2O＝A:B:C'。

3.根据权利要求1所述的一种改善硅片表面自然氧化层厚度的工艺，其特征在于：所述选用low cop的单晶加工的半导体产品硅片的直径为200mm。