[发明专利]导电结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202210202906.6 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN114613741B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈秉扬;陈俊铭;陈志源 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 张行知 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种导电结构包含基板、两抗反射层、两导电干膜、导电连通柱以及两黑化层。两抗反射层分别位于基板之相反两表面上，且两相反表面各暴露出一部分。两导电干膜分别设置于两抗反射层远离基板的一侧。导电连通柱穿越基板，并具有两端分别延伸至两导电干膜。两黑化层分别覆盖两导电干膜，其中两导电干膜的每一者由对应之抗反射层与对应之黑化层包覆。藉由本揭露的导电结构，即可达成金属细线路、无反射光以及无层间叠片刮伤的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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