[发明专利]导电结构及其制造方法

权利要求书

1.一种导电结构，其特征在于，包含：

基板；

两抗反射层，分别位于所述基板的相反两表面上，所述相反两表面各暴露出一部分；

两导电干膜，分别设置于所述两抗反射层远离所述基板的一侧；

导电连通柱，穿越所述基板，并具有两端分别延伸至所述两导电干膜；以及

两黑化层，分别覆盖所述两导电干膜，其中所述两导电干膜的每一者由对应的所述抗反射层与对应的所述黑化层包覆。

2.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述基板的材料包含聚对苯二甲酸乙二酯、环烯烃聚合物、透明聚酰亚胺、聚酰亚胺或聚偏二氟乙烯。

3.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述两抗反射层于一方向上部分重叠。

4.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述两抗反射层的光学密度大于4。

5.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述两抗反射层的材料包含油墨、碳、氧化铜、铬或黑镍。

6.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述两导电干膜于一方向上部分重叠。

7.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述两导电干膜完全覆盖所述导电连通柱。

8.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述两导电干膜的厚度大于10微米。

9.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述导电连通柱系实心填充结构。

10.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述导电连通柱贯穿所述两抗反射层。

11.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中所述导电连通柱的材料包含银、铜或碳。

12.如权利要求1所述的导电结构，其特征在于，其中每一所述两导电干膜面向所述基板的表面是由对应的所述抗反射层所覆盖，且每一所述两导电干膜的其余表面是由对应的所述黑化层所覆盖。

13.一种导电结构的制造方法，其特征在于，包含：

分别形成两抗反射层于基板的相反两表面上；

分别形成两虚设绝缘材料层于所述两抗反射层上；

形成通孔穿越所述两虚设绝缘材料层、所述基板与所述两抗反射层；

形成导电连通柱于所述通孔，且所述导电连通柱完全填充所述通孔；

去除所述两虚设绝缘材料层；

分别形成两导电干膜位于所述两抗反射层上，以完全覆盖所述导电连通柱；

图案化所述两导电干膜；以及

分别形成两黑化层包覆所述两导电干膜。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包含烘烤以固化所述两抗反射层于所述去除所述两虚设绝缘材料层的步骤之后。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包含烘烤以固化所述两导电干膜于所述图案化所述两导电干膜的步骤之后。

16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包含去除所述两抗反射层的各一部位于所述分别形成所述两黑化层包覆所述两导电干膜的步骤之前。

17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，其中所述形成所述导电连通柱于所述通孔的步骤使得所述导电连通柱的两端分别穿过所述两抗反射层。

18.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包含清洁所述基板于所述分别形成所述两抗反射层的步骤之前。