[发明专利]选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强在审
| 申请号： | 202210198079.8 | 申请日： | 2022-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN115019845A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | A·法鲁辛;刘海涛;M·J·金 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C5/12;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强。各种应用可包含存储器装置，其设计成在存储器擦除操作期间提供增强型栅极诱导漏极泄漏GIDL电流。在将电压施加到最顶部选择栅极晶体管的所述栅极后，可通过增强所述最顶部选择栅极晶体管的沟道结构中的电场将增强型操作提供到存储器单元串。可通过使用分割式插塞作为接触件将此电场提供到所述最顶部选择栅极晶体管的所述沟道结构，其中所述分割式插塞具有接触所述沟道结构的一或多个导电区和接触所述沟道结构的一或多个非导电区。所述分割式插塞可为数据线与所述沟道结构之间的接触件的部分。论述额外装置、系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 选择 栅极 诱导 泄漏 增强 | ||
【主权项】：
暂无信息
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