[发明专利]选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强

说明书

本申请涉及选择栅极栅极诱导漏极泄漏增强。各种应用可包含存储器装置，其设计成在存储器擦除操作期间提供增强型栅极诱导漏极泄漏GIDL电流。在将电压施加到最顶部选择栅极晶体管的所述栅极后，可通过增强所述最顶部选择栅极晶体管的沟道结构中的电场将增强型操作提供到存储器单元串。可通过使用分割式插塞作为接触件将此电场提供到所述最顶部选择栅极晶体管的所述沟道结构，其中所述分割式插塞具有接触所述沟道结构的一或多个导电区和接触所述沟道结构的一或多个非导电区。所述分割式插塞可为数据线与所述沟道结构之间的接触件的部分。论述额外装置、系统和方法。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及存储器装置和存储器装置的操作，且更确切地说涉及与存储器装置的擦除操作相关的结构和方法。

背景技术

存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可在不被供电时保持所存储数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁阻式随机存取存储器(MRAM)或三维(3D)XPoint^TM存储器等等。3DX-Point存储器为具有可堆叠交叉网格数据存取阵列的非易失性存储器(NVM)技术，其中位存储是基于体电阻的改变。

快闪存储器用作广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的单晶体管、浮动栅极或电荷阱存储器单元的一或多个群组。两种常见类型的快闪存储器阵列架构包含NAND和NOR架构，所述架构以每一个的基本存储器单元配置所布置的逻辑形式来命名。存储器阵列的存储器单元通常布置成矩阵。在实例中，阵列的一行中的每个浮动栅极存储器单元的栅极耦合到存取线(例如，字线)。在NOR架构中，阵列的一列中的每个存储器单元的漏极耦合到数据线(例如位线)。在NAND架构中，阵列的串中的每个存储器单元的漏极在源极线与数据线之间以源极到漏极方式串联耦合在一起。

使用用于存储器装置(例如NAND存储器装置)的3D架构可提供高于平面结构的增加的容量。用于3D结构的存储器阵列可包含作为存储器单元串的竖直地堆叠的存储器单元。在选择用于存取给定存储器单元的一或多个串中，门控结构可位于这些串的顶部和底部，其中存储器单元在其间存储数据。门控结构可包含其漏极在串的一端处耦合到数据线(例如位线)的选择栅极晶体管，和其源极在串的另一端处耦合到源极线的选择栅极晶体管。

在NAND快闪装置中，通过将较高正电压施加到串主体来对存储器单元串执行擦除操作。在3D NAND架构的情况下，在存储器单元的串主体电隔离的情况下，可产生空穴且注入串主体中，以便在串的存储器单元的擦除期间维持串中的正电势。栅极诱导漏极泄漏(GIDL)为实现高性能和可靠擦除操作的技术。由于漏极接合点中的大场效应，因此其为例如绝缘栅极场效应晶体管(IGFET)的装置中的泄漏机制。增强3D NAND快闪存储器装置中的GIDL操作的现有方法包含尝试最优化选择晶体管到存储器单元串的装置掺杂分布使得选择晶体管的接合点突然。在3D NAND快闪存储器装置中的竖直串中具有浮动沟道结构的存储器单元的层的数目上升到数百的情况下，重要的是在擦除操作期间提供足够GIDL电流。

发明内容

本申请的方面涉及一种存储器装置，其包括：存储器单元串；数据线；晶体管，其将数据线耦合到存储器单元串，晶体管具有沟道结构和栅极，沟道结构与栅极分离；以及插塞，其将数据线耦合到沟道结构，其中插塞覆盖沟道结构，插塞具有接触沟道结构的一或多个导电区和接触沟道结构的一或多个非导电区，使得插塞为数据线与沟道结构之间的分割式接触件。