[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210185011.6 | 申请日： | 2022-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN114784112A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 吴伟;李兰兰 | 申请（专利权）人： | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 王红红 |
| 地址： | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管制备方法，该薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极层，有源层设置于栅绝缘层上，有源层的制备材料包括铝，源极、漏极设置于有源层上方，其中，有源层包括靠近栅绝缘层的第一部分、靠近源漏极层的第二部分，第一部分的铝含量高于第二部分的铝含量；通过使有源层靠近栅绝缘层的第一部分的铝含量，高于靠近源漏极层的第二部分的铝含量，从而提升薄膜晶体管的迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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