[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本申请实施例公开了一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管制备方法，该薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅绝缘层、有源层、源漏极层，有源层设置于栅绝缘层上，有源层的制备材料包括铝，源极、漏极设置于有源层上方，其中，有源层包括靠近栅绝缘层的第一部分、靠近源漏极层的第二部分，第一部分的铝含量高于第二部分的铝含量；通过使有源层靠近栅绝缘层的第一部分的铝含量，高于靠近源漏极层的第二部分的铝含量，从而提升薄膜晶体管的迁移率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管制备方法。

背景技术

氧化物薄膜晶体管迁移率高达非晶硅薄膜晶体管的10至100倍，可以满足新型高阶显示产品的需求，因此金属氧化物薄膜晶体管及其显示面板越来越受到业界的重视。但是和低温多晶硅相比，氧化物薄膜晶体管的稳定性较差，迁移率仍偏低。

因此，现有氧化物薄膜晶体管存在迁移率低的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管制备方法，可以缓解现有氧化物薄膜晶体管存在迁移率低的技术问题。

本申请实施例提供一种薄膜晶体管，包括：

衬底；

栅极，所述栅极设置于所述衬底上方；

栅绝缘层，所述栅绝缘层设置于所述栅极、所述衬底上方；

有源层，所述有源层设置于所述栅绝缘层上，所述有源层的制备材料包括铝、镓、锌；

源漏极层，所述源漏极层设置于所述有源层上方，所述源漏极层包括源极、漏极，所述源极、所述漏极分别与所述有源层连接；

其中，所述有源层包括靠近所述栅绝缘层的第一部分、靠近所述源漏极层的第二部分，所述第一部分的铝含量高于所述第二部分的铝含量。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二部分的镓/锌含量高于所述第一部分的镓/锌含量。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层包括第一部分、第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述第一部分/所述第二部分的厚度与所述有源层的厚度比值的范围为8％至12％。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度相等。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述有源层包括第一有源子层和第二有源子层，所述第一有源子层靠近所述栅绝缘层设置，所述第二有源子层靠近所述源漏极层设置，所述第一有源子层的铝含量高于所述第二有源子层的铝含量。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二有源子层的镓/锌含量高于所述第一有源子层的镓/锌含量。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述栅极绝缘层的制备材料包括氧化铝。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一有源子层的铝含量的范围为30％至50％，所述第一有源子层的镓含量的范围为20％至30％，所述第一有源子层的锌含量的范围为30％至40％。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二有源子层的铝含量的范围为10％至30％，所述第二有源子层的镓含量的范围为30％至40％，所述第二有源子层的锌含量的范围为40％至50％。

本申请实施例提供一种薄膜晶体管制备方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上方制备得到栅极、栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上通过第一靶材溅射制备得到第一有源子层；