[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

栅极，所述栅极设置于所述衬底上方；

栅绝缘层，所述栅绝缘层设置于所述栅极、所述衬底上方；

有源层，所述有源层设置于所述栅绝缘层上，所述有源层的制备材料包括铝、镓、锌；

源漏极层，所述源漏极层设置于所述有源层上方，所述源漏极层包括源极、漏极，所述源极、所述漏极分别与所述有源层连接；

其中，所述有源层包括靠近所述栅绝缘层的第一部分、靠近所述源漏极层的第二部分，所述第一部分的铝含量高于所述第二部分的铝含量。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二部分的镓/锌含量高于所述第一部分的镓/锌含量。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括第一部分、第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述第一部分/所述第二部分的厚度与所述有源层的厚度比值的范围为8％至12％。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度相等。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括第一有源子层和第二有源子层，所述第一有源子层靠近所述栅绝缘层设置，所述第二有源子层靠近所述源漏极层设置，所述第一有源子层的铝含量高于所述第二有源子层的铝含量。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二有源子层的镓/锌含量高于所述第一有源子层的镓/锌含量。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的制备材料包括氧化铝。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一有源子层的铝含量的范围为30％至50％，所述第一有源子层的镓含量的范围为20％至30％，所述第一有源子层的锌含量的范围为30％至40％。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二有源子层的铝含量的范围为10％至30％，所述第二有源子层的镓含量的范围为30％至40％，所述第二有源子层的锌含量的范围为40％至50％。

10.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上方制备得到栅极、栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上通过第一靶材溅射制备得到第一有源子层；

在所述第一有源子层上通过第二靶材溅射制备得到第二有源子层，其中，所述第二靶材的镓/锌含量高于所述第一靶材的镓/锌含量，所述第一靶材的铝含量高于所述第二靶材的铝含量；

在所述第二有源子层上方制备得到源漏极层。