[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件有效
申请号: | 202210173629.0 | 申请日: | 2022-02-24 |
公开(公告)号: | CN114613881B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 金井升;杨楠楠;吴晨阳;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/05 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件,涉及太阳能电池技术领域,制备方法包括:对N型硅衬底进行清洗和制绒、在硅衬底的正面形成P型扩散层、形成未掺杂的多晶硅层、高温退火在正面形成P型掺杂多晶硅层、进行N型掺杂、去除正面和背面的绕镀以及去除正面的P型掺杂多晶硅层、分别在正面和背面形成第一钝化层和第二钝化层、在第一钝化层的一侧形成第一电极并在第二钝化层的一侧形成第二电极。本申请在正面形成整面的未掺杂的多晶硅层,经过高温退火,利用位于正面的整面多晶硅层实现P型扩散层的掺杂调控及杂质吸收,从而有利于减少P型扩散层的复合电流,达到提高电池效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制备 方法 组件 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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