[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

在N型硅衬底的正面和背面进行清洗和制绒；

在所述N型硅衬底的正面形成P型扩散层；

在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面和所述N型硅衬底的背面分别形成整面且未掺杂的多晶硅层；

高温退火，使所述P型扩散层中的至少部分P型掺杂原子扩散到位于所述N型硅衬底正面的所述未掺杂的多晶硅层，形成P型掺杂多晶硅层；

对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行N型掺杂，使位于所述N型硅衬底背面的所述未掺杂的多晶硅层形成N型掺杂多晶硅层；

去除在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述P型掺杂多晶硅层背离所述P型扩散层的表面的掺杂型玻璃层，并去除位于所述P型扩散层背离所述N型硅衬底正面的表面的所述P型掺杂多晶硅层；

去除在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述N型掺杂多晶硅层背离所述N型硅衬底背面的表面的掺杂型玻璃层；

在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面形成第一钝化层；

在所述N型掺杂多晶硅层背离所述N型硅衬底的表面形成第二钝化层；

在所述第一钝化层背离所述P型扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述N型掺杂多晶硅层的表面形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面和所述N型硅衬底的背面分别形成整面且未掺杂的多晶硅层，具体为：

采用低压化学气相沉积法，在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面和所述N型硅衬底的背面分别形成整面且未掺杂的多晶硅层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面和所述N型硅衬底的背面分别形成整面且未掺杂的多晶硅层之前，还包括：

采用臭氧氧化法在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面形成第一氧化层。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述采用臭氧氧化法在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面形成第一氧化层之后，在所述在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面和所述N型硅衬底的背面分别形成整面且未掺杂的多晶硅层之前，还包括：

采用双面热氧化的方式在所述第一氧化层背离所述N型硅衬底的表面和所述N型硅衬底的背面分别形成第二氧化层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第二氧化层采用低压化学气相沉积法、高温热氧化法、硝酸氧化法、臭氧氧化法中的任一种方法制备。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述去除在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述P型掺杂多晶硅层背离所述P型扩散层的表面的掺杂型玻璃层，具体为：

采用氢氟酸湿法腐蚀的方法去除在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述P型掺杂多晶硅层背离所述P型扩散层的表面的掺杂型玻璃层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在采用氢氟酸湿法腐蚀的方法去除在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述P型掺杂多晶硅层背离所述P型扩散层的表面的掺杂型玻璃层之后，还包括：

采用碱性腐蚀溶液去除所述P型掺杂多晶硅层背离所述P型扩散层的表面残留的所述掺杂型玻璃层。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述去除位于所述P型扩散层背离所述N型硅衬底正面的表面的所述P型掺杂多晶硅层，具体为，在采用碱性腐蚀溶液去除所述P型掺杂多晶硅层背离所述P型扩散层的表面残留的掺杂型玻璃层的同时，一并去除位于所述P型扩散层背离所述N型硅衬底正面的表面的所述P型掺杂多晶硅层。

9.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池由权利要求1至8中任一所述的太阳能电池的制备方法制得。

10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括电池串，所述电池串由多个如权利要求9所述的太阳能电池电连接形成。