[发明专利]太阳能电池及其制备方法、光伏组件

说明书

本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池技术领域，制备方法包括：对N型硅衬底进行清洗和制绒、在硅衬底的正面形成P型扩散层、形成未掺杂的多晶硅层、高温退火在正面形成P型掺杂多晶硅层、进行N型掺杂、去除正面和背面的绕镀以及去除正面的P型掺杂多晶硅层、分别在正面和背面形成第一钝化层和第二钝化层、在第一钝化层的一侧形成第一电极并在第二钝化层的一侧形成第二电极。本申请在正面形成整面的未掺杂的多晶硅层，经过高温退火，利用位于正面的整面多晶硅层实现P型扩散层的掺杂调控及杂质吸收，从而有利于减少P型扩散层的复合电流，达到提高电池效率的目的。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。

背景技术

近几年，全世界都在大力发展可再生能源，比较热门的可再生能源有太阳能、风能、潮汐能等。太阳能相比传统能源有着利用简单、安全、无污染等特点，成为可再生新能源领域研究的焦点。太阳能电池发电的基本原理是光生伏打效应，太阳能电池是将太阳光转化为电能的新能源器件。

太阳能电池，例如TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池现在成为了光伏行业的一个热点，Topcon电池的制备需要用到非晶硅或多晶硅沉积技术，非晶硅或多晶硅沉积一般采用LPCVD(Low Pressure Chemical VaporDeposition，低压力化学气相沉积法)设备，在LPCVD过程中，除了在硅片的一个面(目标沉积面)上沉积一层非晶硅或多晶硅之外，还会在硅片的另一个面(非目标沉积面)上沉积一层非晶硅或多晶硅，这就是行业所称的“绕镀”，这个非目标沉积面也被称为“绕镀面”，现有技术中，为避免绕镀影响电池的效率和良率，均会将绕镀的非晶硅或多晶硅去除，也就是说，绕镀的非晶硅或多晶硅只能作为无用之物去除。当前，如何进一步提升太阳能电池的电池效率成为现阶段亟待解决的技术问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，在正面形成整面的未掺杂的多晶硅层，经过高温退火，利用位于正面的整面多晶硅层实现P型扩散层的掺杂调控及杂质吸收，从而有利于减少P型扩散层的复合电流，达到提高电池效率的目的。

第一方面，本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括：

在N型硅衬底的正面和背面进行清洗和制绒；

在所述N型硅衬底的正面形成P型扩散层；

在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面和所述N型硅衬底的背面分别形成整面且未掺杂的多晶硅层；

高温退火，使所述P型扩散层中的至少部分P型掺杂原子扩散到位于所述N型硅衬底正面的所述未掺杂的多晶硅层，形成P型掺杂多晶硅层；

对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行N型掺杂，使位于所述N型硅衬底背面的所述未掺杂的多晶硅层形成N型掺杂多晶硅层；

去除在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述正面的掺杂型玻璃层，并去除位于所述N型硅衬底正面的所述P型掺杂多晶硅层；

去除在对位于所述背面的所述未掺杂的多晶硅层进行掺杂过程中形成于所述背面的掺杂型玻璃层；

在所述P型扩散层背离所述N型硅衬底的表面形成第一钝化层；

在所述N型掺杂多晶硅层背离所述硅片的表面形成第二钝化层；

在所述第一钝化层背离所述P型扩散层的表面形成第一电极，并在所述第二钝化层背离所述N型掺杂多晶硅层的表面形成第二电极。

第二方面，本发明提供一种太阳能电池，由本发明上述第一方面所提供的太阳能电池的制备方法制得。