[发明专利]存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 202210160600.9 | 申请日： | 2022-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN114220765B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 华文宇;程卫华;朱宏斌;刘威;刘藩东 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 任晓;徐川 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种存储器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔离结构；所述第一方向平行于所述衬底表面；所述第一隔离结构的第一厚度小于所述衬底的厚度；在所述衬底中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；所述第二方向平行于所述衬底表面且与所述第一方向垂直；所述第一沟槽与所述第一隔离结构将所述衬底划分为多个沟道柱；在所述第一沟槽内形成字线结构和第二隔离结构；其中，所述字线结构和所述第二隔离结构并列排布，且沿所述第一沟槽的侧壁延伸；在所述字线结构相邻的所述沟道柱的表面形成存储结构。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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