[发明专利]存储器及其制造方法

说明书

本申请提供一种存储器及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；在所述衬底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔离结构；所述第一方向平行于所述衬底表面；所述第一隔离结构的第一厚度小于所述衬底的厚度；在所述衬底中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；所述第二方向平行于所述衬底表面且与所述第一方向垂直；所述第一沟槽与所述第一隔离结构将所述衬底划分为多个沟道柱；在所述第一沟槽内形成字线结构和第二隔离结构；其中，所述字线结构和所述第二隔离结构并列排布，且沿所述第一沟槽的侧壁延伸；在所述字线结构相邻的所述沟道柱的表面形成存储结构。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体是涉及一种存储器及其制造方法。

背景技术

随着当今科学技术的不断发展，存储器被广泛地应用于各种电子设备。随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）是一种易失性存储器，是计算机中常用的半导体存储器件。

随机存取存储器由多个重复的存储单元组成，每一个存储单元主要由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接。然而，这种随机存取存储器存在存储单元占用面积较大、布线复杂，制造工艺难度大等问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种存储器及其制造方法。

第一方面，本申请实施例提供了一种存储器的制造方法，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔离结构；所述第一方向平行于所述衬底表面；所述第一隔离结构的第一厚度小于所述衬底的厚度；

在所述衬底中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；所述第二方向平行于所述衬底表面且与所述第一方向垂直；所述第一沟槽与所述第一隔离结构将所述衬底划分为多个沟道柱；

在所述第一沟槽内形成字线结构和第二隔离结构；其中，所述字线结构和所述第二隔离结构并列排布，且沿所述第一沟槽的侧壁延伸；

在所述字线结构相邻的所述沟道柱的表面形成存储结构。

在一些实施例中，所述方法还包括：

在所述第一沟槽底部形成第二厚度的第三隔离结构；所述第二厚度小于所述第一沟槽的深度；所述字线结构和所述第二隔离结构形成于所述第三隔离结构上方。

在一些实施例中，所述方法还包括：

形成覆盖所述第一沟槽内壁的第一氧化层；

形成覆盖所述第一氧化层的第一保护层；

所述在所述第一沟槽底部形成第二厚度的第三隔离结构，包括：

在内壁覆盖有所述第一氧化层和所述第一保护层的所述第一沟槽内，形成所述第三隔离结构。

在一些实施例中，所述在内壁覆盖有所述第一氧化层和所述第一保护层的所述第一沟槽内，形成所述第三隔离结构，包括：

在内壁覆盖有所述第一氧化层和所述第一保护层的所述第一沟槽内，填充绝缘材料；

去除至少部分所述绝缘材料，使所述第一沟槽底部保留所述第二厚度的所述绝缘材料以形成所述第三隔离结构；

去除所述第三隔离结构上方的所述第一保护层。

在一些实施例中，所述在所述第一沟槽内形成字线结构和第二隔离结构，包括：

在所述第三隔离结构上方，形成覆盖所述第一沟槽的第一侧壁的第一牺牲层，并形成覆盖所述第一沟槽的第二侧壁的第二牺牲层；其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁为所述第一沟槽内相对的不同侧壁；