[发明专利]存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一隔离结构；所述第一方向平行于所述衬底表面；所述第一隔离结构的第一厚度小于所述衬底的厚度；

在所述衬底中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；所述第二方向平行于所述衬底表面且与所述第一方向垂直；所述第一沟槽与所述第一隔离结构将所述衬底划分为多个沟道柱；其中，所述第一沟槽具有相对的第一侧壁和第二侧壁；

在所述第一沟槽内形成字线结构和第二隔离结构；其中，所述字线结构和所述第二隔离结构并列排布，且沿所述第一沟槽的侧壁延伸；

在所述字线结构相邻的所述沟道柱的表面形成存储结构；

其中，所述在所述第一沟槽内形成字线结构和第二隔离结构，包括：

形成覆盖所述第一侧壁的第一牺牲层和覆盖所述第二侧壁的第二牺牲层；

去除所述第一牺牲层，在所述去除所述第一牺牲层的位置形成字线结构；

去除所述第二牺牲层，在所述去除所述第二牺牲层的位置形成第二隔离结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一沟槽底部形成第二厚度的第三隔离结构；所述第二厚度小于所述第一沟槽的深度；所述字线结构和所述第二隔离结构形成于所述第三隔离结构上方。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成覆盖所述第一沟槽内壁的第一氧化层；

形成覆盖所述第一氧化层的第一保护层；

所述在所述第一沟槽底部形成第二厚度的第三隔离结构，包括：

在内壁覆盖有所述第一氧化层和所述第一保护层的所述第一沟槽内，形成所述第三隔离结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在内壁覆盖有所述第一氧化层和所述第一保护层的所述第一沟槽内，形成所述第三隔离结构，包括：

在内壁覆盖有所述第一氧化层和所述第一保护层的所述第一沟槽内，填充绝缘材料；

去除至少部分所述绝缘材料，使所述第一沟槽底部保留第二厚度的所述绝缘材料以形成所述第三隔离结构；

去除所述第三隔离结构上方的所述第一保护层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽内形成字线结构和第二隔离结构，包括：

在所述第三隔离结构上方，形成覆盖所述第一沟槽的第一侧壁的第一牺牲层，并形成覆盖所述第一沟槽的第二侧壁的第二牺牲层；

在所述第一牺牲层和所述第二牺牲层之间形成间隔层；

去除所述第一牺牲层，形成第二沟槽；

在所述第二沟槽中形成所述字线结构；

去除所述第二牺牲层，形成第三沟槽；

在所述第三沟槽中形成所述第二隔离结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成覆盖所述第一沟槽的第一侧壁的第一牺牲层，并形成覆盖所述第一沟槽的第二侧壁的第二牺牲层，包括：

在所述第一沟槽内形成覆盖所述第一沟槽内壁的牺牲层；

去除所述第三隔离结构上表面的部分所述牺牲层，形成相互分离的所述第一牺牲层和所述第二牺牲层。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一牺牲层，形成第二沟槽，包括：

在所述第二牺牲层靠近所述衬底表面的一端上形成第四沟槽；

在所述第四沟槽中形成覆盖所述第二牺牲层的第二保护层；

去除所述第一牺牲层，形成所述第二沟槽。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述去除所述第二牺牲层，形成第三沟槽，包括：

去除所述第二保护层；

去除所述第二牺牲层，形成所述第三沟槽。