[发明专利]一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法在审
| 申请号： | 202210147770.3 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114530537A | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张星星;张亚;迟博;简弘安;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法，该LED芯片包括衬底及外延结构，P型半导体层上蚀刻形成一至少部分露出N型半导体层的N型台面，P型半导体层上设有透明导电层，透明导电层与P型半导体层之间设有电流阻挡层，透明导电层上设有第一绝缘层，第一导电层上设有高反射电极，第一绝缘层上设有第二绝缘层以将高反射电极覆盖，第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，P型导电电极通过第一导电通孔与透明导电层接触进而与P型半导体层电性连接，N型导电电极通过第二导电通孔与N型半导体层电性连接，且P型导电电极、N型导电电极与高反射电极之间保持绝缘。旨在解决LED芯片金属电极结构反射效果较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射 电极 结构 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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