[发明专利]一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法

权利要求书

1.一种具有高反射电极结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底及外延结构，其特征在于，所述外延结构包括N型半导体层、设于所述N型半导体层之上的多量子阱发光区，以及设于所述多量子阱层之上的P型半导体层；

其中，所述P型半导体层上蚀刻形成一至少部分露出所述N型半导体层的N型台面，所述P型半导体层上设有透明导电层，所述透明导电层与所述P型半导体层之间设有电流阻挡层，所述透明导电层上设有第一绝缘层，所述第一导电层上设有高反射电极，所述第一绝缘层上设有第二绝缘层以将所述高反射电极覆盖，所述第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，所述P型导电电极通过第一导电通孔与所述透明导电层接触进而与所述P型半导体层电性连接，所述N型导电电极通过第二导电通孔与所述N型半导体层电性连接，且所述P型导电电极、N型导电电极与所述高反射电极之间保持绝缘。

2.根据权利要求1所述的具有高反射电极结构的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层由ITO、IZO或其它透明导电材料制成。

3.根据权利要求1所述的具有高反射电极结构的LED芯片，其特征在于，第一绝缘层、第二绝缘层分别由SiO₂、Al₂O₃、TiO_X中的一种或多种不导电材料制成。

4.根据权利要求1所述的具有高反射电极结构的LED芯片，其特征在于，用于制作所述高反射电极的高反射金属层由Al、Ag、Mg或其它具有高反射特质的材料制成。

5.根据权利要求4所述的具有高反射电极结构的LED芯片，其特征在于，用于制作所述高反射电极的高反射金属层的厚度为

6.根据权利要求4所述的具有高反射电极结构的LED芯片，其特征在于，所述第二绝缘层覆盖所述高反射电极的尺寸为4um-12um。

7.根据权利要求1所述的具有高反射电极结构的LED芯片，其特征在于，所述P型导电电极、N型导电电极分别包含Cr、Au、Pt、Ni、Ti或其它导电金属或与其合金组成的叠层或单层。

8.一种具有高反射电极结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1-7任一项所述的具有高反射电极结构的LED芯片，所述制备方法包括：

提供一衬底及外延层；

对所述在所述外延层上进行蚀刻，以至少部分露出所述N型半导体层而形成N型台面；

对所述外延层进行清洁，并在所述外延层上沉积第一绝缘层，对所述第一绝缘层进行蚀刻以去除至少部分的第一绝缘层；

在所述外延层上沉积透明导电层，对所述透明导电层进行蚀刻以去除至少部分的透明导电层；

在所述透明导电层上沉积第二绝缘层，对所述第二绝缘层进行蚀刻以去除至少部分的第二绝缘层；

在所述第一绝缘层上沉积高反射金属层，以制作高反射电极；

在所述第一绝缘层上沉积第二绝缘层，对所述第二绝缘层进行蚀刻以去除至少部分的第二绝缘层，且所述第二绝缘层将所述高反射电极覆盖；

在所述第二绝缘层上制作P型导电电极与N型导电电极。

9.根据权利要求8所述的具有高反射电极结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，在制作高反射电极的步骤中：

用于制作所述高反射电极的高反射金属层由Al、Ag、Mg或其它具有高反射特质的材料制成，所述高反射金属层的厚度为

10.根据权利要求8所述的具有高反射电极结构的LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述第二绝缘层上制作P型导电电极与N型导电电极的步骤中：

所述P型导电电极、N型导电电极分别包含Cr、Au、Pt、Ni、Ti或其它导电金属或与其合金组成的叠层或单层。