[发明专利]一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法在审

专利信息
申请号: 202210147770.3 申请日: 2022-02-17
公开(公告)号: CN114530537A 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 张星星;张亚;迟博;简弘安;胡加辉;金从龙 申请(专利权)人: 江西兆驰半导体有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/40;H01L33/42
代理公司: 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 代理人: 彭琰
地址: 330000 江西省南昌市南*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 反射 电极 结构 led 芯片 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法,该LED芯片包括衬底及外延结构,P型半导体层上蚀刻形成一至少部分露出N型半导体层的N型台面,P型半导体层上设有透明导电层,透明导电层与P型半导体层之间设有电流阻挡层,透明导电层上设有第一绝缘层,第一导电层上设有高反射电极,第一绝缘层上设有第二绝缘层以将高反射电极覆盖,第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极,P型导电电极通过第一导电通孔与透明导电层接触进而与P型半导体层电性连接,N型导电电极通过第二导电通孔与N型半导体层电性连接,且P型导电电极、N型导电电极与高反射电极之间保持绝缘。旨在解决LED芯片金属电极结构反射效果较差的问题。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域,具体涉及一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法。

背景技术

常规的的蓝绿LED芯片结构一般包括衬底、外延结构、电流阻挡层、透明导电层、P型和N型电极、绝缘保护层,外延结构一般包括N型半导体、多量子阱发光区、P型半导体,P型和N型电极分别与P型半导体和N型半导体上进行直接或间接电性连接。P型和N型电极一般需要满足高的反射率、与半导体之间具有高的粘附性、低的界面电阻等。通常会以Al、Ag、Mg等作为反射层,但是具有高反射率的金属与半导体粘附性较差,易掉电极;因此电极结构一般会选择Cr、Ti、Pt、Ni等作为电极的粘附层,不可避免地,作为粘附层的金属具有吸光问题,影响LED的发光效率。

因此,传统的LED芯片金属电极结构反射效果较差,在一定程度上存在遮光与吸光的问题,亟待行业解决。

发明内容

针对现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法,旨在解决现有技术中传统的LED芯片金属电极结构反射效果较差,在一定程度上存在遮光与吸光的问题。

本发明的一方面在于提供一种具有高反射电极结构的LED芯片,所述LED芯片包括衬底及外延结构,

所述外延结构包括N型半导体层、设于所述N型半导体层之上的多量子阱发光区,以及设于所述多量子阱层之上的P型半导体层;

其中,所述P型半导体层上蚀刻形成一至少部分露出所述N型半导体层的N型台面,所述P型半导体层上设有透明导电层,所述透明导电层与所述P型半导体层之间设有电流阻挡层,所述透明导电层上设有第一绝缘层,所述第一导电层上设有高反射电极,所述第一绝缘层上设有第二绝缘层以将所述高反射电极覆盖,所述第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极,所述P型导电电极通过第一导电通孔与所述透明导电层接触进而与所述P型半导体层电性连接,所述N型导电电极通过第二导电通孔与所述N型半导体层电性连接,且所述P型导电电极、N型导电电极与所述高反射电极之间保持绝缘。

根据上述技术方案的一方面,所述透明导电层由ITO、IZO或其它透明导电材料制成。

根据上述技术方案的一方面,第一绝缘层、第二绝缘层分别由SiO2、Al2O3、TiOX中的一种或多种不导电材料制成。

根据上述技术方案的一方面,用于制作所述高反射电极的高反射金属层由Al、Ag、Mg或其它具有高反射特质的材料制成。

根据上述技术方案的一方面,用于制作所述高反射电极的高反射金属层的厚度为

根据上述技术方案的一方面,所述第二绝缘层覆盖所述高反射电极的尺寸为4um-12um。

根据上述技术方案的一方面,所述P型导电电极、N型导电电极分别包含Cr、Au、Pt、Ni、Ti或其它导电金属或与其合金组成的叠层或单层。

本发明的另一方面在于提供一种具有高反射电极结构的LED芯片的制备方法,用于制备上述技术方案当中所述的具有高反射电极结构的LED芯片,所述制备方法包括:

提供一衬底及外延层;

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