[发明专利]一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法

说明书

本发明公开了一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法，该LED芯片包括衬底及外延结构，P型半导体层上蚀刻形成一至少部分露出N型半导体层的N型台面，P型半导体层上设有透明导电层，透明导电层与P型半导体层之间设有电流阻挡层，透明导电层上设有第一绝缘层，第一导电层上设有高反射电极，第一绝缘层上设有第二绝缘层以将高反射电极覆盖，第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，P型导电电极通过第一导电通孔与透明导电层接触进而与P型半导体层电性连接，N型导电电极通过第二导电通孔与N型半导体层电性连接，且P型导电电极、N型导电电极与高反射电极之间保持绝缘。旨在解决LED芯片金属电极结构反射效果较差的问题。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，具体涉及一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法。

背景技术

常规的的蓝绿LED芯片结构一般包括衬底、外延结构、电流阻挡层、透明导电层、P型和N型电极、绝缘保护层，外延结构一般包括N型半导体、多量子阱发光区、P型半导体，P型和N型电极分别与P型半导体和N型半导体上进行直接或间接电性连接。P型和N型电极一般需要满足高的反射率、与半导体之间具有高的粘附性、低的界面电阻等。通常会以Al、Ag、Mg等作为反射层，但是具有高反射率的金属与半导体粘附性较差，易掉电极；因此电极结构一般会选择Cr、Ti、Pt、Ni等作为电极的粘附层，不可避免地，作为粘附层的金属具有吸光问题，影响LED的发光效率。

因此，传统的LED芯片金属电极结构反射效果较差，在一定程度上存在遮光与吸光的问题，亟待行业解决。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种具有高反射电极结构的LED芯片及制备方法，旨在解决现有技术中传统的LED芯片金属电极结构反射效果较差，在一定程度上存在遮光与吸光的问题。

本发明的一方面在于提供一种具有高反射电极结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底及外延结构，

所述外延结构包括N型半导体层、设于所述N型半导体层之上的多量子阱发光区，以及设于所述多量子阱层之上的P型半导体层；

其中，所述P型半导体层上蚀刻形成一至少部分露出所述N型半导体层的N型台面，所述P型半导体层上设有透明导电层，所述透明导电层与所述P型半导体层之间设有电流阻挡层，所述透明导电层上设有第一绝缘层，所述第一导电层上设有高反射电极，所述第一绝缘层上设有第二绝缘层以将所述高反射电极覆盖，所述第二绝缘层上设有P型导电电极与N型导电电极，所述P型导电电极通过第一导电通孔与所述透明导电层接触进而与所述P型半导体层电性连接，所述N型导电电极通过第二导电通孔与所述N型半导体层电性连接，且所述P型导电电极、N型导电电极与所述高反射电极之间保持绝缘。

根据上述技术方案的一方面，所述透明导电层由ITO、IZO或其它透明导电材料制成。

根据上述技术方案的一方面，第一绝缘层、第二绝缘层分别由SiO₂、Al₂O₃、TiO_X中的一种或多种不导电材料制成。

根据上述技术方案的一方面，用于制作所述高反射电极的高反射金属层由Al、Ag、Mg或其它具有高反射特质的材料制成。

根据上述技术方案的一方面，用于制作所述高反射电极的高反射金属层的厚度为

根据上述技术方案的一方面，所述第二绝缘层覆盖所述高反射电极的尺寸为4um-12um。

根据上述技术方案的一方面，所述P型导电电极、N型导电电极分别包含Cr、Au、Pt、Ni、Ti或其它导电金属或与其合金组成的叠层或单层。

本发明的另一方面在于提供一种具有高反射电极结构的LED芯片的制备方法，用于制备上述技术方案当中所述的具有高反射电极结构的LED芯片，所述制备方法包括：

提供一衬底及外延层；