[发明专利]三维存储器及其制造方法

摘要

本公开涉及一种三维存储器及其制造方法、存储装置。该方法包括：形成第一堆叠块；在所述第一堆叠块形成第一台阶结构；沿所述第一堆叠块的堆叠方向，在所述第一堆叠块的一侧形成第二堆叠块；在所述第二堆叠块形成第二台阶结构，其中，所述第一台阶结构和所述第二台阶结构中的至少一个包括至少一对同位台阶，一对所述同位台阶在所述堆叠方向的垂面内间隔设置；以及在所述第一台阶结构的所述一侧形成多个导电通道，其中，所述导电通道与所述第一台阶结构或所述第二台阶结构中对应的台阶电连接，每一对所述同位台阶通过所述导电通道相互电连接。