[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造三维存储器的方法，其特征在于，包括：

形成第一堆叠块；

在所述第一堆叠块形成第一台阶结构；

沿所述第一堆叠块的堆叠方向，在所述第一堆叠块的一侧形成第二堆叠块；

在所述第二堆叠块形成第二台阶结构，其中，所述第一台阶结构和所述第二台阶结构中的至少一个包括至少一对同位台阶，一对所述同位台阶在所述堆叠方向的垂面内间隔设置；以及

在所述第一台阶结构的所述一侧形成多个导电通道，其中，所述导电通道与所述第一台阶结构或所述第二台阶结构中对应的台阶电连接，每一对所述同位台阶通过所述导电通道相互电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：

在所述多个导电通道的背离所述第一台阶结构的一侧形成与所述导电通道电连接的互连层，其中，所述第一台阶结构和所述第二台阶结构中的至少一者包括至少一对通过所述互连层中的金属互连而电连接的台阶。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，沿一对所述同位台阶相对的方向，所述第二台阶结构位于所述第一台阶结构的两侧。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，还包括：

在形成所述第二堆叠结构的步骤之前，在所述第一台阶结构的所述一侧形成第一绝缘填充体；

在所述第二台阶结构背离所述第一台阶结构的一侧形成第二绝缘填充体；以及

其中，连接至所述第一台阶结构的导电通道穿过所述第一绝缘填充体以及所述第二绝缘填充体，连接至所述第二台阶结构的导电通道穿过所述第二绝缘填充体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：在所述第一堆叠块的相对两侧分别形成第三堆叠块和第五堆叠块；

在所述第三堆叠块和所述第五堆叠块之间形成第七堆叠块；

在所述第二堆叠块的相对两侧分别形成第四堆叠块和第六堆叠块；以及

在所述第四堆叠块和所述第六堆叠块之间形成第八堆叠块。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一台阶结构包括至少一对所述同位台阶，一对所述同位台阶中的一个与所述第三堆叠块连接，另一个与所述第五堆叠块连接，在所述第七堆叠块形成与所述第一台阶结构至少部分相同的第一孪生台阶结构；或者

所述第二台阶结构包括至少一对所述同位台阶，一对所述同位台阶中的一个与所述第四堆叠块连接，另一个与所述第六堆叠块连接，在所述第八堆叠块形成与所述第二台阶结构至少部分相同的第二孪生台阶结构。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一台阶结构和所述第二台阶结构二者中的至少一者包括多个位于不同深度处的阶梯。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述方法还包括：

形成所述多个位于不同深度处的阶梯的步骤，包括：

确定每个所述阶梯的待刻蚀深度，其中，所述待刻蚀深度是一个所述阶梯的高度的整数倍；以及

同步刻蚀至少两个所述阶梯，其中，每次所述同步刻蚀的深度是一个所述阶梯的高度的整数倍。

9.一种三维存储器，其特征在于，包括：

第一堆叠块，包括第一台阶结构；

第二堆叠块，包括第二台阶结构，沿所述第一台阶结构的堆叠方向设置于所述第一台阶结构的一侧，其中，所述第一台阶结构和所述第二台阶结构中的至少一个包括至少一对同位台阶，一对所述同位台阶在所述堆叠方向的垂面内间隔设置；以及

多个导电通道，位于所述第一台阶结构的所述一侧，其中，所述导电通道与所述第一台阶结构或所述第二台阶结构中对应的台阶电连接，以及每一对所述同位台阶通过所述导电通道相互电连接。

10.根据权利要求9所述的三维存储器，还包括：

互连层，设置于所述多个导电通道的背离所述第一台阶结构的一侧并与所述导电通道电连接，其中，所述第一台阶结构和所述第二台阶结构中的至少一者包括至少一对通过所述互连层中的金属互连而电连接的第一台阶。