[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202210121219.1 | 申请日： | 2022-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN114914206A | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李王谷;英简涵;申朱红;易吉寒 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/498;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包含衬底，所述衬底具有：衬底第一侧；衬底第二侧，其与所述衬底第一侧相对；及导电结构，其包含在所述衬底第一侧上方的内部端子和在所述衬底第二侧上方且耦合到所述内部端子的外部端子。电子组件包含：电子组件第一侧；电子组件第二侧，其与所述电子组件第一侧相对；及电子组件横向侧，其将所述电子组件第一侧连接到所述电子组件第二侧。所述电子组件第二侧耦合到所述内部端子中的一个或多个。引导结构在所述衬底第一侧上方，并且可包含从所述电子组件横向侧横向向内的内部部分和从所述电子组件横向侧横向向外的外部部分。底部填充物插入于所述电子组件第二侧和所述衬底第一侧之间且在所述引导结构上方。本文中还公开了其它实例和相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安靠科技新加坡控股私人有限公司，未经安靠科技新加坡控股私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210121219.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
