[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，其包括：

衬底第一侧，

衬底第二侧，其与所述衬底第一侧相对；及

导电结构，其包括：

内部端子，其在所述衬底第一侧上方；以及

外部端子，其在所述衬底第二侧上方且耦合到所述内部端子；

电子组件，其包括：

电子组件第一侧；

电子组件第二侧，其与所述电子组件第一侧相对；及

电子组件横向侧，其将所述电子组件第一侧连接到所述电子组件第二侧；

其中所述电子组件第二侧耦合到所述内部端子中的一个或多个；

引导结构，其在所述衬底第一侧上方且包括：

内部部分，其从所述电子组件横向侧横向向内，及

外部部分，其从所述电子组件横向侧横向向外；以及

底部填充物，其插入于所述电子组件第二侧和所述衬底第一侧之间，其中所述底部填充物在所述引导结构上方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述底部填充物从所述电子组件横向侧延伸的距离比从所述电子组件的另一横向侧延伸的距离更远。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述引导结构是所述导电结构的部分。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述引导结构包括：

第一导轨，其包括：

第一长度；

所述内部部分；及

所述外部部分；

以及

第二导轨，其与所述第一导轨横向间隔开且包括：

第二长度；及

第二外部部分，其从所述电子组件横向侧横向向外。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：

所述第二导轨包括从所述电子组件横向表面横向向内的第二内部部分。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：

所述第二长度不同于所述第一长度。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：

所述引导结构进一步包括第三导轨；

所述第三导轨包括第三长度；

所述第二导轨插入于所述第一导轨和所述第三导轨之间；

且

所述第二长度小于所述第一长度和所述第三长度。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中：

所述电子组件在大体垂直于所述第一导轨的第一方向上具有一电子组件长度；

所述引导结构进一步包括引导基底，所述引导基底在所述第一方向上具有引导基底第一长度且在大体平行于所述第一导轨的第二方向上具有引导基底第二长度；

所述引导基底将所述第一导轨和所述第二导轨耦合在一起；且

所述第一导轨和所述第二导轨插入于所述引导基底和所述电子组件横向侧之间。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：

所述引导基底第一长度小于所述电子组件长度；且

所述引导基底第二长度小于所述引导基底第一长度。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：

坝结构，其在所述衬底第一侧上方且横向环绕所述电子组件和所述引导结构。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：

罩盖，其囊封所述电子组件、所述底部填充物和所述衬底的至少部分。