[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包含衬底，所述衬底具有：衬底第一侧；衬底第二侧，其与所述衬底第一侧相对；及导电结构，其包含在所述衬底第一侧上方的内部端子和在所述衬底第二侧上方且耦合到所述内部端子的外部端子。电子组件包含：电子组件第一侧；电子组件第二侧，其与所述电子组件第一侧相对；及电子组件横向侧，其将所述电子组件第一侧连接到所述电子组件第二侧。所述电子组件第二侧耦合到所述内部端子中的一个或多个。引导结构在所述衬底第一侧上方，并且可包含从所述电子组件横向侧横向向内的内部部分和从所述电子组件横向侧横向向外的外部部分。底部填充物插入于所述电子组件第二侧和所述衬底第一侧之间且在所述引导结构上方。本文中还公开了其它实例和相关方法。

技术领域

本公开大体上涉及电子装置，且更明确地说，涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。

背景技术

先前的半导体封装和形成半导体封装的方法是不适当的，例如，导致成本过大、可靠性降低、性能相对较低或封装尺寸过大。通过比较此类方法与本公开并参考图式，所属领域的技术人员将清楚常规和传统方法的其它限制和缺点。

发明内容

本揭露的各种态样提供一种半导体装置，其包括：衬底，其包括：衬底第一侧，衬底第二侧，其与所述衬底第一侧相对；及导电结构，其包括：内部端子，其在所述衬底第一侧上方；以及外部端子，其在所述衬底第二侧上方且耦合到所述内部端子；电子组件，其包括：电子组件第一侧；电子组件第二侧，其与所述电子组件第一侧相对；及电子组件横向侧，其将所述电子组件第一侧连接到所述电子组件第二侧；其中所述电子组件第二侧耦合到所述内部端子中的一个或多个；引导结构，其在所述衬底第一侧上方且包括：内部部分，其从所述电子组件横向侧横向向内，及外部部分，其从所述电子组件横向侧横向向外；以及底部填充物，其插入于所述电子组件第二侧和所述衬底第一侧之间，其中所述底部填充物在所述引导结构上方。在所述半导体装置中，所述底部填充物从所述电子组件横向侧延伸的距离比从所述电子组件的另一横向侧延伸的距离更远。在所述半导体装置中，所述引导结构是所述导电结构的部分。在所述半导体装置中，所述引导结构包括：第一导轨，其包括：第一长度；所述内部部分；及所述外部部分；以及第二导轨，其与所述第一导轨横向间隔开且包括：第二长度；及第二外部部分，其从所述电子组件横向侧横向向外。在所述半导体装置中，所述第二导轨包括从所述电子组件横向表面横向向内的第二内部部分。在所述半导体装置中，所述第二长度不同于所述第一长度。在所述半导体装置中，所述引导结构进一步包括第三导轨；所述第三导轨包括第三长度；所述第二导轨插入于所述第一导轨和所述第三导轨之间；且所述第二长度小于所述第一长度和所述第三长度。在所述半导体装置中，所述电子组件在大体垂直于所述第一导轨的第一方向上具有一电子组件长度；所述引导结构进一步包括引导基底，所述引导基底在所述第一方向上具有引导基底第一长度且在大体平行于所述第一导轨的第二方向上具有引导基底第二长度；所述引导基底将所述第一导轨和所述第二导轨耦合在一起；且所述第一导轨和所述第二导轨插入于所述引导基底和所述电子组件横向侧之间。在所述半导体装置中，所述引导基底第一长度小于所述电子组件长度；且所述引导基底第二长度小于所述引导基底第一长度。所述半导体装置进一步包括：坝结构，其在所述衬底第一侧上方且横向环绕所述电子组件和所述引导结构。所述半导体装置进一步包括：罩盖，其囊封所述电子组件、所述底部填充物和所述衬底的至少部分。