[发明专利]具有堆叠沟槽触点和无栅极盖层的栅极触点的晶体管装置在审
| 申请号： | 202210112033.X | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN115020494A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | A·C-H·韦;O·戈隆茨卡;F·阿迪比-里齐 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述了具有沟槽触点并且具有栅极触点(VCG)的制造工艺和所得的晶体管装置，所述沟槽触点具有彼此堆叠的两个部分(第一沟槽触点(TCN1)和第二沟槽触点(TCN2))。在这种晶体管装置中，TCN1可以与相邻栅极自对准，并且可以用于进行单元级连接，TCN2也可以进行单元级连接并且可以在自对准TCN1形成之后提供，并且具有倒锥形形状，TCN2周围的间隔体可以是比常规间隔体材料更高介电常数的电介质材料，并且VCG可以在不存在任何栅极盖层的情况下或者在仅使用薄的临时栅极盖层之后形成。本文描述的制造工艺和晶体管装置可以在增加的边缘放置误差容限、成本效率和器件性能方面提供若干改进。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 沟槽 触点 栅极 盖层 晶体管 装置 | ||
【主权项】：
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