[发明专利]具有堆叠沟槽触点和无栅极盖层的栅极触点的晶体管装置在审
| 申请号： | 202210112033.X | 申请日： | 2022-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN115020494A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | A·C-H·韦;O·戈隆茨卡;F·阿迪比-里齐 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 沟槽 触点 栅极 盖层 晶体管 装置 | ||
1.一种晶体管装置，包括：
沟道材料；
栅极电极材料，在所述沟道材料的栅极部分上方；
源极或漏极(S/D)触点材料，与所述栅极部分相邻；
第一导电材料(TCN1材料)，在所述S/D触点材料上方；以及
第二导电材料(TCN2材料)，在所述TCN1材料上方，其中，所述TCN2材料在距所述S/D触点材料第一距离处的宽度大于所述TCN2材料在距所述S/D触点材料第二距离处的宽度，所述第二距离大于所述第一距离。
2.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述TCN2材料在距所述S/D触点材料所述第二距离处的所述宽度小于所述TCN1材料的宽度。
3.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中：
所述栅极电极材料是第一栅极电极材料，
所述沟道材料的所述栅极部分是所述沟道材料的第一栅极部分，
所述晶体管装置还包括第二栅极电极材料，所述第二栅极电极材料在所述沟道材料的第二栅极部分上方，以及
所述TCN1材料在所述第一栅极电极材料与所述第二栅极电极材料之间自对准。
4.根据权利要求3所述的晶体管装置，其中，所述晶体管装置还包括在以下中的至少一者之间的一种或多种栅极间隔体材料：
所述TCN1材料与所述第一栅极电极材料，以及
所述TCN1材料与所述第二栅极电极材料。
5.根据权利要求4所述的晶体管装置，其中，所述一种或多种栅极间隔体材料没有任何部分在所述第一栅极电极材料的顶部上方。
6.根据权利要求4所述的晶体管装置，其中，所述一种或多种栅极间隔体材料中的至少一种栅极间隔体材料的介电常数等于或低于氮化硅的介电常数。
7.根据权利要求4所述的晶体管装置，其中，所述一种或多种栅极间隔体材料包括一种或多种第一栅极间隔体材料和替换栅极间隔体材料，并且其中，在以下中的至少一者之间：所述TCN1材料与所述第一栅极电极材料、以及所述TCN1材料与所述第二栅极电极材料：
所述一种或多种第一栅极间隔体材料凹陷到所述TCN1材料下方，并且
所述替换栅极间隔体材料在以下中的至少一者之间：所述TCN1材料与所述第一栅极电极材料、以及所述TCN1材料与所述第二栅极电极材料。
8.根据权利要求7所述的晶体管装置，其中，所述晶体管装置包括在以下中的至少一者中的空隙：
在所述TCN1材料与所述第一栅极电极材料之间的所述替换栅极间隔体材料，以及
在所述TCN1材料与所述第二栅极电极材料之间的所述替换栅极间隔体材料。
9.根据权利要求8所述的晶体管装置，其中，所述空隙的宽度至少是所述一种或多种第一栅极间隔体材料的宽度的约一半。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的晶体管装置，还包括TCN2间隔体材料，所述TCN2间隔体材料至少部分地包围所述TCN2材料的侧壁，其中，所述TCN2间隔体材料的介电常数至少为约5.5。
11.根据权利要求1-9中任一项所述的晶体管装置，其中，所述TCN1材料的顶部与所述栅极电极材料的顶部对准。
12.根据权利要求1-9中任一项所述的晶体管装置，还包括：在所述栅极电极材料的一部分上方，过孔开口至少部分地填充有第三导电材料(VCG材料)，其中，所述过孔开口的一部分在距所述S/D触点材料所述第一距离处的宽度小于所述过孔开口在距所述S/D触点材料所述第二距离处的宽度。
13.根据权利要求1-9中任一项所述的晶体管装置，其中，所述TCN2材料的一部分在所述栅极电极材料的顶部的一部分上方。
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