[发明专利]OPC修正方法在审
| 申请号： | 202210103826.5 | 申请日： | 2022-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN114460806A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李葆轩;刘佳琦 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种OPC修正方法，包括：步骤一、提供原始版图，原始版图中存在密集图形和孤立图形的过渡区域，在过渡区域中存在两条以上的半孤立线端对齐于对齐直线上的结构。步骤二、找到所有对齐直线以及对应的各半孤立线端。步骤三、进行所述半孤立线端的预调整，包括：进行伸长或缩短来调节半孤立线端的侧面位置，使各相邻的对齐于对齐直线的两个半孤立线端的侧面之间具有第一间距，通过增加第一间距增加和半孤立线端临近的密集图形的OPC修正的工艺窗口；原始版图在经过半孤立线端调节后成为中间版图。步骤四、对中间版图进行OPC修正。本发明能提高临近于半孤立线端对齐位置处的密集图形的OPC修正的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | opc 修正 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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