[发明专利]OPC修正方法

说明书

本发明公开了一种OPC修正方法，包括：步骤一、提供原始版图，原始版图中存在密集图形和孤立图形的过渡区域，在过渡区域中存在两条以上的半孤立线端对齐于对齐直线上的结构。步骤二、找到所有对齐直线以及对应的各半孤立线端。步骤三、进行所述半孤立线端的预调整，包括：进行伸长或缩短来调节半孤立线端的侧面位置，使各相邻的对齐于对齐直线的两个半孤立线端的侧面之间具有第一间距，通过增加第一间距增加和半孤立线端临近的密集图形的OPC修正的工艺窗口；原始版图在经过半孤立线端调节后成为中间版图。步骤四、对中间版图进行OPC修正。本发明能提高临近于半孤立线端对齐位置处的密集图形的OPC修正的工艺窗口。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种光学临近效应修正(OPC)方法。

背景技术

在光刻工艺中，掩模版即光罩(Mask)上的版图对应的图形结构会通过曝光系统投影到光刻胶中并在光刻胶中形成对应的图形结构，但是由于曝光过程中的光学原因或者光刻胶的化学反应的原因，在光刻胶中形成的图形结构和掩模版上的图形结构存在偏差，这种偏差则需要通过OPC修正预先对掩模版上的图形结构进行修改，采用经过OPC修正的掩模版进行曝光时，在光刻胶中形成的图形结构则会和设计的图形结构相符，并符合工艺生产要求。

在版图的图形结构中根据图形密度不同分为密集图形和孤立图形以及位于二者之间的过渡区域的半孤立图形。密集图形的图形之间间距减小，在光刻过程中，密集图形之间的衍射光会存在相互作用；而孤立图形的周侧比较空旷，孤立图形之间的衍射光相互作用较弱或没有相互作用。半孤立图形的一侧为密集图形区，另一侧则较为空旷。

版图包括多层图形层，如金属层，通孔层。其中，对于金属层，特别是接近光刻极限的工艺下，在密集/孤立图形的过渡区域中，往往容易出现工艺窗口差的现象，此时往往需要对图形空间周期进行适当松解(pitch loose)、通孔层位移(via shift)等方法来防止断线。如图1A所示，是现有OPC修正方法中进行OPC修正前对临近过渡区域的密集图形的空间周期进行松解前的密集图形的示意图；图1A中显示了金属层图形101以及通孔层图形102，通孔层图形102位于金属层图形101的部分区域上。金属层图形101的图形空间周期即步进(pitch)为金属层图形101的宽度w101和间距w102的和。

如图1B所示，是现有OPC修正方法中进行OPC修正前对临近过渡区域的密集图形的空间周期进行松解后的密集图形的示意图；金属层图形101的图形空间周期为宽度w101a和间距w102a的和。w101a大于w101以及w102a大于w102。

但在多个准孤立线端即半孤立线端对齐于一条线的情况下，由于线端缩短的光学/光阻现象，线端需要向外大量修正，对齐的线端在OPC修正时会产生同时外扩和互相冲突的情况，从而从两侧对中间密集图形区域产生严重挤压，使pitch loose无法完全解决中间区域工艺窗口差、易断线的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种OPC修正方法，能提高临近于半孤立线端对齐位置处的密集图形的OPC修正的工艺窗口。

为解决上述技术问题，本发明提供的OPC修正方法包括如下步骤：

步骤一、提供需要进行OPC修正的原始版图，所述原始版图中存在密集图形和孤立图形的过渡区域，在所述过渡区域中存在多条半孤立线端，各所述半孤立线端和对应的所述密集图形临近。

在所述过渡区域中存在两条以上的所述半孤立线端对齐于对齐直线上的结构，所述对齐直线和所述半孤立线端的长度方向垂直。

步骤二、在所述原始版图中找到所有所述对齐直线以及各所述对齐直线对应的各所述半孤立线端。