[发明专利]半导体制造装置用构件以及塞子在审
| 申请号： | 202210096313.6 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114864435A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 石川征树;青木泰穗 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;孔博 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造装置用构件以及塞子，抑制经由气体流路的绝缘击穿。半导体制造装置用构件(10)具备：陶瓷板(20)，其在上表面具有晶片载置面(20a)；塞子(40)，其设置于陶瓷板(20)的下表面(20b)侧且具有致密质的主体部(45)和一边弯曲一边在厚度方向上贯通主体部(45)的气体流路部(46)；气体放出孔(28)，其在厚度方向上贯通陶瓷板(20)并与气体流路部(46)的上方连通；以及金属制的冷却板(60)，其与陶瓷板(20)的下表面(20b)接合并具有从气体流路部(46)的下方供给气体的气体供给通路(64)。在塞子(40)中，气体流路部(46)的全长中的至少一部分区间是多孔质(47)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 构件 以及 塞子 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
