[发明专利]半导体制造装置用构件以及塞子

说明书

本发明涉及半导体制造装置用构件以及塞子，抑制经由气体流路的绝缘击穿。半导体制造装置用构件(10)具备：陶瓷板(20)，其在上表面具有晶片载置面(20a)；塞子(40)，其设置于陶瓷板(20)的下表面(20b)侧且具有致密质的主体部(45)和一边弯曲一边在厚度方向上贯通主体部(45)的气体流路部(46)；气体放出孔(28)，其在厚度方向上贯通陶瓷板(20)并与气体流路部(46)的上方连通；以及金属制的冷却板(60)，其与陶瓷板(20)的下表面(20b)接合并具有从气体流路部(46)的下方供给气体的气体供给通路(64)。在塞子(40)中，气体流路部(46)的全长中的至少一部分区间是多孔质(47)。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置用构件以及塞子。

背景技术

以往，作为半导体制造装置用构件，已知具备在上表面具有晶片载置面的静电卡盘的构件。例如，专利文献1的半导体制造装置用构件是在静电卡盘的下表面隔着中间板配置有冷却板的构件。冷却板具有气体供给孔。静电卡盘具有从下表面贯通至晶片载置面的气体放出孔。中间板与冷却板一起形成与气体供给孔及气体放出孔连通的空腔，在该空腔配置有致密质塞子。致密质塞子具有一边弯曲一边将上表面侧和下表面侧贯通的气体流路。该半导体制造装置用构件在腔室内将晶片载置于晶片载置面，向腔室内导入原料气体，并且对冷却板施加用于建立等离子体的RF电压，由此产生等离子体来进行晶片的处理。此时，向气体供给孔导入氦等背侧气体。背侧气体从气体供给孔经由致密质塞子的气体流路而通过气体放出孔向晶片的背面供给。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2017/0243726号说明书

发明内容

发明所要解决的课题

然而，有时经由致密质塞子的气体流路而在晶片与冷却板之间产生放电(绝缘击穿)。在专利文献1中，贯通致密质塞子的上表面侧和下表面侧的气体流路弯曲，其流路长度比较长，因此难以产生经由气体流路的绝缘击穿，但仍然不够充分。

本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于，与以往相比难以发生绝缘击穿。

用于解决课题的手段

本发明的半导体制造装置用构件具备：

陶瓷板，其在上表面具有晶片载置面并内置有电极，

塞子，其设置在所述陶瓷板的下表面侧且具有致密质的主体部、以及一边弯曲一边在厚度方向上贯通所述主体部的气体流路部，

气体放出孔，其在厚度方向上贯通所述陶瓷板并与所述气体流路部的上方连通，以及

金属制的冷却板，其与所述陶瓷板的下表面接合且具有从所述气体流路部的下方供给气体的气体供给通路；

所述气体流路部的全长中的至少一部分区间是绝缘性且透气性的多孔质。

在该半导体制造装置用构件中，塞子具有一边弯曲一边在厚度方向上贯通致密质的主体部的气体流路部。另外，气体流路部的全长中的至少一部分区间是绝缘性且透气性的多孔质。在多孔质的区间中，存在于多孔质内的三维(例如三维网状)连续的气孔成为气体流路。因此，与气体流路部整体为空洞的情况相比，气体流路部内的实质上的流路长度长。因此，在该半导体制造装置用构件中，不易在晶片与冷却板之间产生经由气体流路的放电(绝缘击穿)。

在本说明书中，“上”、“下”并不表示绝对的位置关系，而是表示相对的位置关系。因此，根据半导体制造装置用构件的朝向，“上”、“下”成为“下”、“上”、或成为“左”、“右”、或成为“前”、“后”。