[发明专利]半导体制造装置用构件以及塞子在审
| 申请号： | 202210096313.6 | 申请日： | 2022-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN114864435A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 石川征树;青木泰穗 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;孔博 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 构件 以及 塞子 | ||
1.一种半导体制造装置用构件，具备：
陶瓷板，其在上表面具有晶片载置面并内置有电极，
塞子，其设置在所述陶瓷板的下表面侧且具有致密质的主体部、以及一边弯曲一边在厚度方向上贯通所述主体部的气体流路部，
气体放出孔，其在厚度方向上贯通所述陶瓷板并与所述气体流路部的上方连通，以及
金属制的冷却板，其与所述陶瓷板的下表面接合且具有从所述气体流路部的下方供给气体的气体供给通路；
所述气体流路部的全长中的至少一部分区间为绝缘性且透气性的多孔质。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用构件，其中，所述气体流路部的全长中的至少一部分区间是气孔率为10％以上且50％以下的所述多孔质。
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用构件，其中，所述气体流路部的全长中的30％以上的区间为所述多孔质。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体制造装置用构件，其中，所述气体流路部形成为螺旋状。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体制造装置用构件，其中，所述塞子具有直径朝向上表面逐渐变窄的锥形部，
所述电极设置于所述陶瓷板的内部中的与所述锥形部交叉的面，并具有用于使所述塞子贯通的贯通孔。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体制造装置用构件，其中，所述塞子在侧面具有下侧的直径变窄的台阶。
7.一种塞子，具有致密质的主体部、以及一边弯曲一边在厚度方向上贯通所述主体部的气体流路部，
所述气体流路部的全长中的至少一部分区间是绝缘性且透气性的多孔质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
