[发明专利]基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备

摘要

本发明提供了一种基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备，包括：栅极驱动器，多个GaNMOS管、多个第一铁氧体磁珠以及多个第二铁氧体磁珠；每个所述GaNMOS管的漏极均连接VCC，每个所述GaNMOS管的源极均连接GND，每个所述GaNMOS管的栅极均串联有一个第一铁氧体磁珠，每个所述第一铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的GDA端口，每个所述GaNMOS管的开尔文源极均串联有一个第二铁氧体磁珠，每个所述第二铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的SSA端口。本发明用体积较小的铁氧体磁珠作为高频抑制器、器件PCB对称布局、PCB功率回路和驱动回路分离、单点接地应用达到抑制栅极驱动回路振荡、抑制共模干扰的目的。