[发明专利]基于GaN器件并联的驱动电路、布局方法及设备在审
| 申请号： | 202210081722.9 | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN114465458A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 雷彦;陈普选 | 申请（专利权）人： | 北京绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H02M1/44 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 黄磊 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 gan 器件 并联 驱动 电路 布局 方法 设备 | ||
1.一种基于GaN器件并联的驱动电路，其特征在于，包括：栅极驱动器，多个GaNMOS管、多个第一铁氧体磁珠以及多个第二铁氧体磁珠；每个所述GaNMOS管的漏极均连接VCC，每个所述GaNMOS管的源极均连接GND，每个所述GaNMOS管的栅极均串联有一个第一铁氧体磁珠，每个所述第一铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的GDA端口，每个所述GaNMOS管的开尔文源极均串联有一个第二铁氧体磁珠，每个所述第二铁氧体磁珠的另一端连接栅极驱动器的SSA端口。
2.根据权利要求1所述的基于GaN器件并联的驱动电路，其特征在于：还包括多个开通电阻，所述开通电阻串联在第一铁氧体磁珠和栅极驱动器的GDA端口之间。
3.根据权利要求1所述的基于GaN器件并联的驱动电路，其特征在于：还包括多个栅极关断电阻，所述关断电阻的一端连接第一铁氧体磁珠的另一端，所述关断电阻的另一端连接栅极驱动器的GSA端口。
4.根据权利要求3所述的基于GaN器件并联的驱动电路，其特征在于：所述关断电阻与第一铁氧体磁珠之间串联有普通二极管，所述普通二极管的正极连接第一铁氧体磁珠的另一端，所述普通二极管的负极连接关断电阻。
5.根据权利要求1所述的基于GaN器件并联的驱动电路，其特征在于：所述第一铁氧体磁珠的另一端和第二铁氧体磁珠的另一端之间串联有正向稳压管和负向稳压管，所述正向稳压管的正极与第一铁氧体磁珠的另一端连接，所述正向稳压管的负极与负向稳压管的负极连接，所述负向稳压管的正极与第二铁氧体磁珠的另一端连接。
6.根据权利要求5所述的基于GaN器件并联的驱动电路，其特征在于：所述正向稳压管选择150Mw/5.1V～6.2V二极管，所述负向稳压管选择选择150Mw/9.1V。
7.一种基于GaN器件并联的驱动电路的布局方法，基于权利要求1-6任一项所述的GaN器件并联的驱动电路，其特征在于：将所述栅极驱动器靠近GaNMOS管的栅极设置。
8.根据权利要求7所述的基于GaN器件并联的驱动电路的布局方法，其特征在于：所述GaNMOS管的功率回路远离栅极回路设置，每个所述GaNMOS管的功率回路在PCB上对称布局。
9.根据权利要求7所述的基于GaN器件并联的驱动电路的布局方法，其特征在于：所述栅极驱动器的GND与GaNMOS管源极的GND单独设置。
10.一种基于GaN器件的设备，其特征在于：包括权利要求1-6任一项所述的基于GaN器件并联的驱动电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京绿能芯创电子科技有限公司，未经北京绿能芯创电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210081722.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽车用铸造推力杆
- 下一篇：一种卫星数传数据的重传方法
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
