[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 202210076987.X 申请日: 2022-01-24
公开(公告)号: CN115810624A 公开(公告)日: 2023-03-17
发明(设计)人: 杉山亨;吉冈启;洪洪;矶部康裕;小林仁 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L25/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实施方式提供一种能够抑制因漏极电极与基板之间的基板电容引起的振铃的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:第一端子;第二端子;第一芯片,具有与所述第二端子电连接的基板、设置在所述基板上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第一端子电连接的第一漏极电极、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第二端子电连接的第一源极电极、以及所述第一漏极电极与所述基板之间的基板电容;以及电阻部,串联连接在所述第一漏极电极与所述第二端子之间的包括所述基板电容的路径上。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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