[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210076987.X | 申请日： | 2022-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN115810624A | 公开（公告）日： | 2023-03-17 |
| 发明（设计）人： | 杉山亨;吉冈启;洪洪;矶部康裕;小林仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L25/18 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其中，具备：
第一端子；
第二端子；
第一芯片，具有与所述第二端子电连接的基板、设置在所述基板上的氮化物半导体层、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第一端子电连接的第一漏极电极、设置在所述氮化物半导体层上并与所述第二端子电连接的第一源极电极、以及所述第一漏极电极与所述基板之间的基板电容；以及
电阻部，串联连接在所述第一漏极电极与所述第二端子之间的包括所述基板电容的路径上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
还具备第二芯片，该第二芯片具有与所述第一芯片的所述第一源极电极电连接的第二源极电极、和与所述第二端子电连接的第二漏极电极。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述第一芯片包括常开型的高电子迁移率晶体管HEMT，
所述第二芯片包括常闭型的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
还具备搭载所述第一芯片并与所述基板接合的裸片焊盘。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述电阻部包括电连接在所述裸片焊盘与所述第二端子之间的芯片电阻器。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述裸片焊盘兼作所述第二端子，
所述电阻部包括将所述基板与所述裸片焊盘接合的接合部件。
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述电阻部被设置在所述第一芯片上并通过金属线而与所述裸片焊盘以及所述第二端子电连接。
8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述电阻部包括设置于所述基板或者所述氮化物半导体层的电阻层。
9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述基板是硅基板。
10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述电阻部的电阻高于所述基板的电阻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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