[发明专利]一种二极管的键合封装结构及其工艺在审

专利信息
申请号: 202210072029.5 申请日: 2022-01-21
公开(公告)号: CN114496967A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 王迎春;薄霞;马捷;杨敏 申请(专利权)人: 济南市半导体元件实验所
主分类号: H01L23/492 分类号: H01L23/492;H01L21/60
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 闫圣娟
地址: 250014 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开一种二极管的键合封装结构及其工艺,包括:芯片、钼片和键合丝;所述芯片上进行钛镍银的金属化,所述钼片的一侧电镀镍金,另一侧电镀镍,钼片电镀镍金的一侧焊接在芯片上,钼片电镀镍的一侧与键合丝进行超声键合。改变芯片表面的金属层,增加钼片作为过渡片,解决现有技术中芯片键合可靠性低、热膨胀系数不匹配、电流不均流等问题,提高产品的长期可靠性。
搜索关键词: 一种 二极管 封装 结构 及其 工艺
【主权项】:
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