[发明专利]一种二极管的键合封装结构及其工艺在审
| 申请号： | 202210072029.5 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114496967A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王迎春;薄霞;马捷;杨敏 | 申请（专利权）人： | 济南市半导体元件实验所 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/60 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 闫圣娟 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 封装 结构 及其 工艺 | ||
1.一种二极管的键合封装结构，其特征在于，包括：芯片、钼片和键合丝；所述芯片上进行钛镍银的金属化，所述钼片的一侧电镀镍金，另一侧电镀镍，钼片电镀镍金的一侧焊接在芯片上，钼片电镀镍的一侧与键合丝进行超声键合。
2.如权利要求1所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述键合封装结构还包括外壳，钼片电镀镍金的一侧与芯片焊接时采用真空焊接，将外壳、芯片和钼片一次焊接成型。
3.如权利要求2所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述真空焊接采用Pb92.5Sn5Ag2.5焊片。
4.如权利要求1所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述键合丝采用高纯铝丝。
5.如权利要求4所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述键合丝采用Ф380μm的高纯铝丝。
6.如权利要求4所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述铝丝的安全工作电流大于二极管的额定电流。
7.如权利要求1所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，钼片电镀镍的一侧与键合丝进行超声键合前进行等离子清洗，以去除键合点表面的氧化层和污渍。
8.如权利要求1所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述钼片的尺寸为1.5mm×1.5mm。
9.如权利要求1所述的一种二极管的键合封装结构，其特征在于，所述芯片的尺寸为3.3mm×3.3mm。
10.一种二极管的键合封装工艺，其特征在于，包括：
对芯片进行钛镍银的金属化；
对钼片进行焊接面和键合面的金属化，其中，对钼片的焊接面电镀镍金，对钼片的键合面电镀镍；
将钼片的焊接面与芯片进行真空焊接；
将钼片的键合面与键合丝进行超声键合。
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