[发明专利]一种新型光刻胶去除工艺在审
| 申请号： | 202210058340.4 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114545746A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 郭光辉 | 申请（专利权）人： | 济南晶硕电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250200 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：S1：用固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片，S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液，S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中，S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除，S5：用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面，S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性。一种新型光刻胶去除工艺，通过固态二氧化碳颗粒轰击光刻胶，可以对光刻胶表面的硬壳造成足够高的损伤，这样清洗液可以进入到硬壳下方，将光刻胶去除，使得清洗更加方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 光刻 去除 工艺 | ||
【主权项】：
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