[发明专利]一种新型光刻胶去除工艺在审
| 申请号： | 202210058340.4 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114545746A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 郭光辉 | 申请（专利权）人： | 济南晶硕电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250200 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 光刻 去除 工艺 | ||
1.一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1：用固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片；
S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液；
S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中；
S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除；
S5：用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面；
S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性。
2.根据权利要求1所述的一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，所述固态二氧化碳的温度为-30~-85℃之间。
3.根据权利要求1所述的一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，所述双氧水与硫酸的配比为（1~6.5）：（2~7.5）。
4.根据权利要求1所述的一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，所述反应腔内部的温度位于50~160℃之间。
5.根据权利要求1所述的一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，所述等离子注入束线的剂量在（0.5~6.0）*1014ions/cm2,40keV之间。
6.根据权利要求1所述的一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，所述等离子水采用批次喷雾系统，每次时间间隔为1.5~7min。
7.根据权利要求1所述的一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，所述清洗后的硅片放置在传送带上用等离子水冲洗，并通过传送带运输。
8.根据权利要求1所述的一种新型光刻胶去除工艺，其特征在于，所述冲洗后的硅片集中收集，并静置晾干。
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