[发明专利]一种新型光刻胶去除工艺

说明书

本发明公开了一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：S1：用固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片，S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液，S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中，S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除，S5：用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面，S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性。一种新型光刻胶去除工艺，通过固态二氧化碳颗粒轰击光刻胶，可以对光刻胶表面的硬壳造成足够高的损伤，这样清洗液可以进入到硬壳下方，将光刻胶去除，使得清洗更加方便。

技术领域

本发明涉及光刻胶技术领域，具体为一种新型光刻胶去除工艺。

背景技术

光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体，在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料，半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像，光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类，在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，涂层材料为正性光刻胶，如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，涂层材料为负性光刻胶，按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等，光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业，光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求，光刻胶在生产中表面会形成坚硬的、碳化交联聚合物硬壳，现有技术中，光刻胶表面形成的硬壳难以去除，导致光刻胶去除缓慢。

发明内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种新型光刻胶去除工艺，具备去除方便和快速等优点，解决了光刻胶表面形成的硬壳难以去除，导致光刻胶去除缓慢的问题。

（二）技术方案

为实现上述可以对光刻胶表面的硬壳造成足够高的损伤，这样清洗液可以进入到硬壳下方，将光刻胶去除，使得清洗更加方便目的，本发明提供如下技术方案：一种新型光刻胶去除工艺，包括以下步骤：

S1：用固态二氧化碳颗粒轰击离子硅片，得到外部硬壳损伤的硅片；

S2：将双氧水注入到硫酸溶液反应腔中，双氧水与硫酸发生放热反应形成高温的清洗液；

S3：将S1得到的外部硬壳损伤的硅片置于具有清洗液的反应腔中；

S4：将S2得到的清洗液与硅片上的光刻胶反应将光刻胶去除；

S5：用等离子水冲反复喷向去除光刻胶后的硅片的表面；

S6：在去除中，催化剂单独注入到反应腔中，用于反应活性。

优选的，所述固态二氧化碳的温度为-30~-85℃之间。

优选的，所述双氧水与硫酸的配比为（1~6.5）：（2~7.5）。

优选的，所述反应腔内部的温度位于50~160℃之间。

优选的，所述等离子注入束线的剂量在（0.5~6.0）*1014ions/cm2,40keV之间。

优选的，所述等离子水采用批次喷雾系统，每次时间间隔为1.5~7min。

优选的，所述清洗后的硅片放置在传送带上用等离子水冲洗，并通过传送带运输。

优选的，所述冲洗后的硅片集中收集，并静置晾干。

（三）有益效果

与现有技术相比，本发明提供了一种新型光刻胶去除工艺，具备以下有益效果：