[发明专利]分栅快闪存储单元及其制备方法在审
| 申请号： | 202210039241.1 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114388629A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王旭峰;于涛;李冰寒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；沟槽，位于所述衬底内；源线层，位于所述沟槽内，且将所述沟槽分隔为两个子沟槽；第一分栅结构及第二分栅结构，分别包括第一浮栅及第二浮栅，所述第一浮栅及所述第二浮栅分别填充两个所述子沟槽并延伸覆盖所述衬底的部分表面，所述第一浮栅及所述第二浮栅的顶部高于所述源线层；擦除栅，位于所述源线层上；源区，位于所述源线层的下方的衬底内，且与所述源线层电性连接；本发明利于分栅快闪存储单元的尺寸缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210039241.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：活化凝血时间的电化学检测底座及装置
- 下一篇：分栅快闪存储单元及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
