[发明专利]分栅快闪存储单元及其制备方法

权利要求书

1.一种分栅快闪存储单元，其特征在于，包括：

衬底；

沟槽，位于所述衬底内；

源线层，位于所述沟槽内，且将所述沟槽分隔为两个子沟槽；

第一分栅结构及第二分栅结构，分别包括第一浮栅及第二浮栅，所述第一浮栅及所述第二浮栅分别填充两个所述子沟槽并延伸覆盖所述衬底的部分表面，所述第一浮栅及所述第二浮栅的顶部高于所述源线层；

擦除栅，位于所述源线层上；

源区，位于所述源线层的下方的衬底内，且与所述源线层电性连接。

2.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元，其特征在于，所述第一浮栅及所述第二浮栅的浮栅尖端相对设置，且所述擦除栅延伸覆盖所述浮栅尖端。

3.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元，其特征在于，所述第一分栅结构还包括第一侧墙，所述第一侧墙位于所述第一浮栅上，且覆盖所述擦除栅的一侧；和/或，

所述第二分栅结构还包括第二侧墙，所述第二侧墙位于所述第二浮栅上，且覆盖所述擦除栅的另一侧。

4.如权利要求3所述的分栅快闪存储单元，其特征在于，所述第一分栅结构还包括第三侧墙及第一字线栅，所述第三侧墙覆盖所述第一侧墙及所述第一浮栅远离所述擦除栅的一侧，所述第一字线栅覆盖所述第三侧墙的至少部分表面；和/或，

所述第二分栅结构还包括第四侧墙及第二字线栅，所述第四侧墙覆盖所述第二侧墙及所述第二浮栅远离所述擦除栅的一侧，所述第二字线栅覆盖所述第四侧墙的至少部分表面。

5.如权利要求4所述的分栅快闪存储单元，其特征在于，还包括两个漏区，分别位于所述第一字线栅及所述第二字线栅的外侧的衬底内。

6.如权利要求1所述的分栅快闪存储单元，其特征在于，所述源线层的材质包括多晶硅。

7.一种分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，形成沟槽位于所述衬底内；以及，

形成源线层位于所述沟槽内，形成第一分栅结构及第二分栅结构部分位于所述沟槽内，形成擦除栅位于所述源线层上，形成源区位于所述源线层的下方的衬底内；

其中，所述源线层将所述沟槽分隔为两个子沟槽；

所述第一分栅结构及所述第二分栅结构分别包括第一浮栅及第二浮栅，所述第一浮栅及所述第二浮栅分别填充两个所述子沟槽并延伸覆盖所述衬底的部分表面，所述第一浮栅及所述第二浮栅的顶部高于所述源线层；

所述源区与所述源线层电性连接。

8.如权利要求7所述的分栅快闪存储单元的制备方法，其特征在于，形成所述第一浮栅、所述第二浮栅、所述源线层、所述擦除栅及所述源区的步骤包括：

在所述衬底上依次形成浮栅材料层及介质层，且所述浮栅材料层填充所述沟槽；

刻蚀所述介质层以形成第一开口，所述第一开口显露出所述浮栅材料层的表面且所述第一开口位于所述衬底及部分所述沟槽的上方；

刻蚀所述浮栅材料层以使所述第一开口延伸至所述浮栅材料层中且所述第一开口的侧壁的底部呈弧形；

在所述第一开口内填充侧墙材料层；

刻蚀去除所述介质层及所述介质层的下方的所述浮栅材料层以形成第二开口，所述第二开口显露出所述沟槽底部的衬底的表面，刻蚀后在所述浮栅材料层中形成浮栅尖端；

对所述沟槽底部的衬底进行离子注入以在所述衬底内形成源区；

在所述第二开口的部分深度中填充形成源线层；

去除所述侧墙材料层的部分横向宽度以使所述浮栅尖端露出，并在所述第二开口的剩余深度中填充形成所述擦除栅，所述擦除栅延伸覆盖所述浮栅尖端；以及，

依次刻蚀所述侧墙材料层及所述浮栅材料层以显露出所述衬底的表面，所述第二开口两侧剩余的所述浮栅材料层分别作为所述第一浮栅及所述第二浮栅，所述第一浮栅上剩余的所述侧墙材料层构成第一侧墙，所述第二浮栅上剩余的所述侧墙材料层构成第二侧墙，所述第一浮栅及所述第二浮栅的浮栅尖端相对。