[发明专利]沟槽型晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 202210039022.3 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114496796B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 魏峰;相奇;戴学春 | 申请（专利权）人： | 广东芯粤能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽的内部表面形成栅介质材料层；刻蚀所述第一沟槽底部的栅介质材料层至暴露出所述第一沟槽的底部的基底，形成位于所述第一沟槽侧壁的栅介质层；继续沿所述第一沟槽刻蚀所述基底，在所述第一沟槽底部形成所述第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁表面形成隔离层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内填充栅极。上述方法形成的沟槽型晶体管的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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