[发明专利]一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备在审
| 申请号: | 202210035463.6 | 申请日: | 2022-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN114488683A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 王航宇 | 申请(专利权)人: | 深圳晶源信息技术有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/76 |
| 代理公司: | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人: | 罗芬梅 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市福田区福保*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明涉及集成电路掩模设计领域,尤其涉及一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备,该方法包括步骤:提供一个或者多个初始掩模图形的初始掩模版图,基于每个初始掩模图形对应的坐标信息建立关于初始位置信息矩阵对每个初始掩模图形进行标定;选出待修正掩模图形,提供关于每个待修正掩模图形的修正规则,将每个修正规则和初始位置信息矩阵关联以将修正规则匹配到对应位置信息处的该待修正掩模图形;基于待修正掩模图形的位置信息应用匹配的修正规则对初始掩模版图进行修正;输出修正后的掩模版图,通过该方法修正初始掩模图形速度快,准确找到待修正的待修正掩模图形,修正后获得的掩模版图具有较宽的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 应用于 产生 图形 方法 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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