[发明专利]一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备在审
| 申请号: | 202210035463.6 | 申请日: | 2022-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN114488683A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
| 发明(设计)人: | 王航宇 | 申请(专利权)人: | 深圳晶源信息技术有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/76 |
| 代理公司: | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人: | 罗芬梅 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市福田区福保*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 应用于 产生 图形 方法 装置 电子设备 | ||
本发明涉及集成电路掩模设计领域,尤其涉及一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备,该方法包括步骤:提供一个或者多个初始掩模图形的初始掩模版图,基于每个初始掩模图形对应的坐标信息建立关于初始位置信息矩阵对每个初始掩模图形进行标定;选出待修正掩模图形,提供关于每个待修正掩模图形的修正规则,将每个修正规则和初始位置信息矩阵关联以将修正规则匹配到对应位置信息处的该待修正掩模图形;基于待修正掩模图形的位置信息应用匹配的修正规则对初始掩模版图进行修正;输出修正后的掩模版图,通过该方法修正初始掩模图形速度快,准确找到待修正的待修正掩模图形,修正后获得的掩模版图具有较宽的工艺窗口。
【技术领域】
本发明涉及集成电路掩模设计领域,尤其涉及一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备。
【背景技术】
在光刻半导体器件的生产制造过程中,建立光刻模型阶段或者曝光成像阶段,均需要使用到设置有掩模图形的掩模版。不管是在建立光刻模型阶段用到的掩模版还是曝光成像阶段用到的掩模版,具体掩模图形设计的好坏决定着工艺窗口的大小。而最终在光刻模型建立或者曝光成像的时候采用的掩模版,通常是在设计出初始的掩模版图之后,对上面的掩模图形,特别是边缘处的掩模图形进行修正处理才可以很好的增大工艺窗口,满足最终设计需求。但是由于掩模版上的掩模图形其数量相对较多,相对位置无法很好的标定,故难以指定特定设定的掩模图形进行修正操作,特别是经过初次移动操作之后的掩模图形,将难以再次找到同一个掩模图形对其继续进行修正处理,特别不利于对掩模版的修正。
【发明内容】
为克服目前在提供掩模图形的过程中难以找到指定需要修正的掩模图形的缺陷,本发明提供一种应用于产生掩模图形的方法、应用于产生掩模图形的装置及电子设备。
本发明为了解决上述技术问题,提供一技术方案:一种应用于产生掩模图形的方法,包括如下步骤:提供初始掩模版图,所述初始掩模版图上包括一个或者多个初始掩模图形,多个初始掩模图形周期性或者规律性排布,每个初始掩模图形具有对应的坐标信息;基于每个初始掩模图形对应的坐标信息建立关于所述初始掩模图形的初始位置信息矩阵,利用所述初始位置信息矩阵对每个初始掩模图形进行标定;选定所述初始掩模图形中的部分或者全部作为待修正掩模图形,提供关于每个所述待修正掩模图形的修正规则,将每个修正规则和所述初始位置信息矩阵关联以将修正规则匹配到对应位置信息处的该待修正掩模图形;基于待修正掩模图形的位置信息应用匹配的修正规则对初始掩模版图进行修正;输出修正后的掩模版图。
优选地,将每个修正规则和所述初始位置信息矩阵关联以将修正规则匹配到对应位置信息处的该待修正掩模图形包括如下步骤:建立与所述初始位置信息矩阵同样尺寸的操作矩阵,所述操作矩阵中相同位置下的元素所包括的内容为该待修正掩模图形的修正规则。
优选地,所述修正规则包括修正方式和关于对应修正方式下的修正内容,所述修正方式包括待修正掩模图形边的移动、一个待修正掩模图形的整体移动和对该待修正掩模图形添加亚分辨率辅助图形中的一种或者几种,对应修正方式下的修正内容包括移动的方向和移动数值、添加的亚分辨率辅助的位置信息和尺寸信息。
优选地,建立与所述初始位置信息矩阵同样尺寸的操作矩阵,所述操作矩阵中相同位置下的元素为该待修正掩模图形的修正规则包括如下步骤:建立与所述初始位置信息矩阵同样尺寸的操作矩阵;将对应的修正方式设置到对应位置的操作矩阵元素中;将对应的修正内容添加到对应的修正方式处。
优选地,将对应的修正内容添加到对应的修正方式处具体的操作如下:根据初始位置信息矩阵并由矩阵的边缘元素为基准依次向矩阵中心的元素依次添加。
优选地,所述初始掩模图形为规则图形,且具有中心点,基于每个初始掩模图形对应的中心坐标建立关于所述初始掩模图形的初始位置信息矩阵。
优选地,选定所述初始掩模图形中相对靠近边缘元素处的初始掩模图形作为待修正掩模图形。
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