[发明专利]一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统有效
| 申请号： | 202210035236.3 | 申请日： | 2022-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN114420602B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 林梓梁;周雄伟;方智武;李红生;廖慧容 | 申请（专利权）人： | 深圳市东方聚成科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京广技专利代理事务所(特殊普通合伙) 11842 | 代理人： | 安琪 |
| 地址： | 518125 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统。所述电子器件为带有封装结构的集成芯片，所述方法包括：在芯片的封装上表面标记溶剂腐蚀区域；利用去封装溶剂将所述溶剂腐蚀区域对应的封装上表面进行腐蚀，获得腐蚀孔洞；其中，所述去封装溶剂为现有去封装常用去封装溶剂；以所述腐蚀孔洞为基准，利用夹持工具和剥离工具以未腐蚀的封装上表面为夹持点，揭开所述芯片的封装结构的上盖；对所述集成芯片的内部电路部分进行性能测试和故障修复，在所述集成芯片修复后对所述集成芯片进行封装。所述系统包括与所述方法步骤对应的模块。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子器件 无损 封装 测试 再利用 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市东方聚成科技有限公司，未经深圳市东方聚成科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210035236.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
