[发明专利]一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统

权利要求书

1.一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，其特征在于，所述电子器件为带有封装结构的集成芯片，所述方法包括：

在芯片的封装上表面标记溶剂腐蚀区域；

利用去封装溶剂将所述溶剂腐蚀区域对应的封装上表面进行腐蚀，获得腐蚀孔洞；其中，所述去封装溶剂为现有去封装常用去封装溶剂；

以所述腐蚀孔洞为基准，利用夹持工具和剥离工具以未腐蚀的封装上表面为夹持点，揭开所述芯片的封装结构的上盖；

对所述集成芯片的内部电路部分进行性能测试和故障修复，在所述集成芯片修复后对所述集成芯片进行封装；

所述在芯片的封装上表面标记溶剂腐蚀区域，包括：

扫描所述芯片的上表面封装结构，获得上表面封装尺寸图；

在所述上表面封装尺寸图上规划溶剂腐蚀区域位置和尺寸，获得区域规划尺寸和位置；

利用激光扫描方式在所述芯片的封装上表面按照所述区域规划尺寸和位置标记出所述溶剂腐蚀区域；

在所述上表面封装尺寸图上规划溶剂腐蚀区域位置和尺寸，获得区域规划尺寸和位置，包括：

获取所述集成芯片的封装结构的长宽比，确定所述长宽比是否超过0.75；

根据长宽比的不同情况确定区域规划尺寸和位置；

根据长宽比的不同情况确定区域规划尺寸和位置，包括：

当所述集成芯片的封装结构的长宽比不超过0.75时，以所述集成芯片的封装结构的宽边为基准设置长边区域划分长度，其中，所述长边区域划分长度最大值不得超过所述封装结构的宽边长度对应数值；

以所述长边区域划分长度为标准，以宽边位置为起始点，在所述集成芯片的封装结构的长边处截取长边区域划分长度，并且，使所述长边区域划分长度与所述封装结构的宽边形成矩形区域；

在所述矩形区域中，以所述矩形区域的中心点为圆形，以矩形区域的长边区域划分长度的0.5倍的长度为半径划分第一溶解区域；

在所述矩形区域中，以所述矩形区域的中心点为圆形，以矩形区域的长边区域划分长度的0.8倍的长度为半径划分第二溶解区域；其中，所述第一溶解区域和第二溶解区域组合形成溶剂腐蚀区域。

2.根据权利要求1所述电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，其特征在于，根据长宽比的不同情况确定区域规划尺寸和位置，还包括：

当所述集成芯片的封装结构的长宽比超过0.75时，以所述封装结构的上表面的中心点为圆形，以所述封装结构的上表面的长边长度的0.45倍的长度为半径划分第一溶解区域；

在矩形区域中，以所述矩形区域的中心点为圆形，以矩形区域的长边区域划分长度的0.75倍的长度为半径划分第二溶解区域；其中，所述第一溶解区域和第二溶解区域组合形成溶剂腐蚀区域。

3.根据权利要求1所述电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，其特征在于，所述利用去封装溶剂将所述溶剂腐蚀区域对应的封装上表面进行腐蚀，获得腐蚀孔洞包括：

控制所述去封装溶剂逐滴滴在所述芯片的封装上表面上的溶剂腐蚀区域；

实时控制去封装溶剂的滴剂频率和滴剂量，使去封装溶剂逐步腐蚀芯片封装上表面溶剂腐蚀区域内，直至所述溶剂腐蚀区域内的所述芯片封装上表面腐蚀软化脱离所述芯片封装上表面本体，所述芯片封装上表面形成与所述溶剂腐蚀区域相对应的腐蚀孔洞。

4.根据权利要求3所述电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，其特征在于，所述实时控制去封装溶剂的滴剂频率和滴剂量，包括：

以每2s-3s一滴的滴剂频率以及每滴剂量为0.3mg-0.8mg的药量范围使所述去封装溶剂填满第一溶解区域；

以每5s-8s一滴的滴剂频率以及每滴剂量为0.15mg-0.25mg的药量范围使所述去封装溶剂逐步填满第二溶解区域。

5.一种电子器件无损开盖及封装测试再利用系统，其特征在于，所述电子器件为带有封装结构的集成芯片，所述系统包括：

区域标记模块，用于在芯片的封装上表面标记溶剂腐蚀区域；

腐蚀控制模块，用于利用去封装溶剂将所述溶剂腐蚀区域对应的封装上表面进行腐蚀，获得腐蚀孔洞；其中，所述去封装溶剂为现有去封装常用去封装溶剂；

开盖控制模块，用于以所述腐蚀孔洞为基准，利用夹持工具和剥离工具以未腐蚀的封装上表面为夹持点，揭开所述芯片的封装结构的上盖；

测试封装模块，用于对所述集成芯片的内部电路部分进行性能测试和故障修复，在所述集成芯片修复后对所述集成芯片进行封装；

所述区域标记模块，包括：

扫描模块，用于扫描所述芯片的上表面封装结构，获得上表面封装尺寸图；

划分模块，用于在所述上表面封装尺寸图上规划溶剂腐蚀区域位置和尺寸，获得区域规划尺寸和位置；

标记模块，用于利用激光扫描方式在所述芯片的封装上表面按照所述区域规划尺寸和位置标记出所述溶剂腐蚀区域；

其中，所述划分模块包括：

长宽比确定模块，用于获取所述集成芯片的封装结构的长宽比，确定所述长宽比是否超过0.75；

尺寸位置划分模块，用于根据长宽比的不同情况确定区域规划尺寸和位置；

所述尺寸位置划分模块包括：

尺寸划分模块，用于当所述集成芯片的封装结构的长宽比不超过0.75时，以所述集成芯片的封装结构的宽边为基准设置长边区域划分长度，其中，所述长边区域划分长度最大值不得超过所述封装结构的宽边长度对应数值

位置确定模块，用于以所述长边区域划分长度为标准，以宽边位置为起始点，在所述集成芯片的封装结构的长边处截取长边区域划分长度，并且，使所述长边区域划分长度与所述封装结构的宽边形成矩形区域；

第一区域划分模块一，用于在所述矩形区域中，以所述矩形区域的中心点为圆形，以矩形区域的长边区域划分长度的0.5倍的长度为半径划分第一溶解区域；

第二区域划分模块一，用于在所述矩形区域中，以所述矩形区域的中心点为圆形，以矩形区域的长边区域划分长度的0.8倍的长度为半径划分第二溶解区域；其中，所述第一溶解区域和第二溶解区域组合形成溶剂腐蚀区域；

所述尺寸位置划分模块还包括：

第一区域划分模块二，用于当所述集成芯片的封装结构的长宽比超过0.75时，以所述封装结构的上表面的中心点为圆形，以所述封装结构的上表面的长边长度的0.45倍的长度为半径划分第一溶解区域；

第二区域划分模块二，用于在所述矩形区域中，以所述矩形区域的中心点为圆形，以矩形区域的长边区域划分长度的0.75倍的长度为半径划分第二溶解区域；其中，所述第一溶解区域和第二溶解区域组合形成溶剂腐蚀区域。