[发明专利]一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统

说明书

本发明提出了一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统。所述电子器件为带有封装结构的集成芯片，所述方法包括：在芯片的封装上表面标记溶剂腐蚀区域；利用去封装溶剂将所述溶剂腐蚀区域对应的封装上表面进行腐蚀，获得腐蚀孔洞；其中，所述去封装溶剂为现有去封装常用去封装溶剂；以所述腐蚀孔洞为基准，利用夹持工具和剥离工具以未腐蚀的封装上表面为夹持点，揭开所述芯片的封装结构的上盖；对所述集成芯片的内部电路部分进行性能测试和故障修复，在所述集成芯片修复后对所述集成芯片进行封装。所述系统包括与所述方法步骤对应的模块。

技术领域

本发明提出了一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统，属于集成芯片处理技术领域。

背景技术

集成芯片是精密的电子器件，为了保证其正常稳定运行，会在集成芯片外部设置封装结构。然而，在芯片生产过程中常出现打线不良但芯片性能良好的情况发生，在这种情况下就要对芯片进行去封装，即开盖，以便对芯片性能进行测试和修复。目前，开盖方式主要有两种，第一种是完全溶解掉芯片封装，暴露金属连线，第二种是只移掉硅核上面的塑料封装，无论是哪种方式，都会不同程度和极大的发生概率使芯片电路部分受到损害，造成资源浪费。

发明内容

本发明提供了一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统，用以解决现有技术中芯片封装对芯片造成损坏概率较大的问题，所采取的技术方案如下：

一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法，所述电子器件为带有封装结构的集成芯片，所述方法包括：

在芯片的封装上表面标记溶剂腐蚀区域；

利用去封装溶剂将所述溶剂腐蚀区域对应的封装上表面进行腐蚀，获得腐蚀孔洞；其中，所述去封装溶剂为现有去封装常用去封装溶剂；

以所述腐蚀孔洞为基准，利用夹持工具和剥离工具以未腐蚀的封装上表面为夹持点，揭开所述芯片的封装结构的上盖；

对所述集成芯片的内部电路部分进行性能测试和故障修复，在所述集成芯片修复后对所述集成芯片进行封装。

进一步地，所述在芯片的封装上表面标记溶剂腐蚀区域，包括：

扫描所述芯片的上表面封装结构，获得上表面封装尺寸图；

在所述上表面封装尺寸图上规划溶剂腐蚀区域位置和尺寸，获得区域规划尺寸和位置；

利用激光扫描方式在所述所述芯片的封装上表面按照所述区域规划尺寸和位置标记出所述溶剂腐蚀区域。

进一步地，在所述上表面封装尺寸图上规划溶剂腐蚀区域位置和尺寸，获得区域规划尺寸和位置，包括：

获取所述集成芯片的封装结构的长宽比，确定所述长宽比是否超过0.75；

根据长宽比的不同情况确定区域规划尺寸和位置。

进一步地，根据长宽比的不同情况确定区域规划尺寸和位置，包括：

当所述集成芯片的封装结构的长宽比不超过0.75时，以所述集成芯片的封装结构的宽边为基准设置长边区域划分长度，其中，所述长边区域划分长度最大值不得超过所述封装结构的宽边长度对应数值，并且，所述长边区域划分长度通过如下公式获取：

其中，L表示长边区域划分长度；L₀表示所述集成芯片的封装结构的长度；D表示所述集成芯片的封装结构的宽度；

以所述长边区域划分长度为标准，以宽边位置为起始点，在所述集成芯片的封装结构的长边处截取长边区域划分长度，并且，使所述长边区域划分长度与所述封装结构的宽边形成矩形区域；

在所述矩形区域中，以所述矩形区域的中心点为圆形，以矩形区域的长边区域划分长度的0.5倍的长度为半径划分第一溶解区域；