[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210030628.0 | 申请日： | 2022-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN114334866A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 章恒嘉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/38 | 分类号： | H01L23/38;H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 高德志 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区和围绕芯片区的控温区；位于所述控温区的珀尔帖器件，所述珀尔帖器件包括位于所述控温区的半导体衬底中且沿着所述芯片区边界方向交替排布的若干P型掺杂区和若干N型掺杂区；位于所述N型掺杂区和P型掺杂区远离芯片区一侧的第一端金属层和第二端金属层，所述第一端金属层电连接于所述若干N型掺杂区，所述第二端金属层电连接于所述若干P型掺杂区；位于所述N型掺杂区和P型掺杂区靠近芯片区一侧的半导体衬底中的第三端金属层，所述第三端金属层电连接于所述N型掺杂区与P型掺杂区。提高了控温的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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