[发明专利]基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构在审
| 申请号： | 202210026167.X | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114335151A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 阳小明;李天倩;曹太强;吴健;李佰强;杨志国 | 申请（专利权）人： | 西华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 王悦 |
| 地址： | 611743 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构，包括结构上面的源电极、栅电极、漏电极；源电极下面有p+、n+区域，p+区域用于消除寄生NPN晶体管效应，n+区域用于收集沟道流过来的电子；栅电极下面有双扩散形成的P阱，为n沟道；当栅电压大于阈值电压时，栅氧层下面形成电子层，器件导通；漏极下面为n+区域；栅电极、漏电极之间为漂移区，用于提高器件关断时的耐压；漂移区的下方为低载流子寿命层；低载流子寿命层下面是埋氧层，将漂移区和衬底作了电气隔离；埋氧层下面是P型衬底，器件底部为衬底电极。该发明广泛应用于高压SOI横向功率器件与集成电路；以较低的成本提高了SOI功率器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 载流子 寿命 提高 soi 横向 功率 器件 耐压 结构 | ||
【主权项】：
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