[发明专利]基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构在审
| 申请号： | 202210026167.X | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114335151A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 阳小明;李天倩;曹太强;吴健;李佰强;杨志国 | 申请（专利权）人： | 西华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 王悦 |
| 地址： | 611743 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 载流子 寿命 提高 soi 横向 功率 器件 耐压 结构 | ||
【权利要求书】：
1.基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构，包括结构上面的源电极(1)、栅电极(2)、漏电极(3)；
源电极(1)下面有p+、n+区域，p+区域用于消除寄生NPN晶体管效应，n+区域用于收集沟道流过来的电子；
栅电极(2)下面有双扩散形成的P阱，为n沟道；当栅电压大于阈值电压时，栅氧层下面形成电子层，器件导通；
漏极下面为n+区域；
栅电极(2)、漏电极(3)之间为漂移区(4)，用于提高器件关断时的耐压；
其特征在于：漂移区(4)的下方为低载流子寿命层(5)，由N型硅中引入深能级复合中心得到；
低载流子寿命层(5)下面是埋氧层(6)，将漂移区(4)和衬底作了电气隔离；
埋氧层(6)下面是P型衬底(7)，器件底部为衬底电极。
2.根据权利要求1所述的基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构，其特征在于，所述的低载流子寿命层(5)，由N型硅中引入深能级复合中心得到。
3.根据权利要求1所述的基于低载流子寿命提高SOI横向功率器件耐压的结构，其特征在于，所述的漂移区(4)长度30um，漂移区(4)厚度4um，低载流子寿命层(5)厚度2um，埋氧层(6)厚度3um。
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